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1)  arbitrary potential barrier
任意势垒
1.
Particle tunneling in arbitrary potential barriers: a transfer matrix method;
粒子在任意势垒中的隧穿:转移矩阵法
2)  arbitrary barrier shape
任意形状势垒
1.
A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape;
处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
2.
Based on the Slonczewski s free electron model, we present a simple method that can be used to study theelectron transport properties in magnetic tunnel junction with arbitrary barrier shape.
在Slonczewski 自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见势垒,即梯形势垒,计入了镜象势的梯形势垒和抛物线势垒为例,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响。
3)  arbitrary potentials
任意势
1.
A simle numerical method of calculating transmission coefficients across arbitrary potentials is presented by using the combination of a transfer matrix procedure and the solution of the wave functions in arbitrary potentials.
将求解任意势中波函数与转移矩阵技巧相结合,给出计算穿越任意势之透射系数的一种简单数值计算方法。
4)  potential barrier
势垒,位垒
5)  potential barrier
势垒
1.
Effect of ionic vacancies on potential barrier at grain boundaries in BaTiO_3.;
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
2.
How to analyze particle wavefunction of tunneling rectangular potential barrier——On an alteration in the new printing of Atomic Physics by Professor Chu Shenglin;
如何分析隧穿直角势垒的粒子波函数——评褚圣麟先生《原子物理学》在新印本中的一个变动
6)  barrier [英]['bæriə(r)]  [美]['bærɪɚ]
势垒
1.
The results show that the probability crossing cell membrane is influenced by the ion-energy in the cell membrane channel, height and width of the barrier.
本文提出了细胞膜通道中离子跨膜运输的物理图象并通过数值模拟,研究了离子跨膜运输的几率对电磁场的响应,认为膜通道内离子的能量、势垒的高度以及势垒的宽度均对跨膜运输的离子的几率产生影响。
2.
The field emission of diamond film involves the electrons travel from the negative end of the power supply, through the various interfacial contacts, through the bulk of the film itself, to the film surface,then tunnel through the potential barrier,propagate through the vacuum gap, before finally reaching the anode.
金刚石膜场致发射过程是电子从导电基底开始,经基底/金刚石界面、金刚石薄膜体内传输到表面,然后穿过表面势垒进入真空、经真空电场加速到达阳极的一个复杂过程。
3.
The form of MgSO\-4 dosing in varistor ceramic lattice as shown in microtexture graph and its effect on ZnO crystal barrier is briefly analyzed.
同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
补充资料:ANSYS中在任意面施加任意方向任意变化的压力方法
在任意面施加任意方向任意变化的压力
在某些特殊的应用场合,可能需要在结构件的某个面上施加某个坐标方向的随坐标位置变化的压力载荷,当然,这在一定程度上可以通过ANSYS表面效应单元实现。如果利用ANSYS的参数化设计语言,也可以非常完美地实现此功能,下面通过一个小例子描述此方法。
!!!在执行如下加载命令之前,请务必用选择命令asel将需要加载的几何面选择出来
!!!
finish
/prep7
et,500,shell63
press=100e6
amesh,all
esla,s
nsla,s,1
! 如果载荷的反向是一个特殊坐标系的方向,可在此建立局部坐标系,并将
! 所有节点坐标系旋转到局部坐标系下.
*get,enmax,elem,,num,max
dofsel,s,fx,fy,fz
fcum,add !!!将力的施加方式设置为"累加",而不是缺省的"替代"
*do,i,1,enmax
*if,esel,eq,1,then
*get,ae,elem,i,area !此命令用单元真实面积,如用投影面积,请用下几条命令
! *get,ae,elem,i,aproj,x !此命令用单元X投影面积,如用真实面积,请用上一条命令
! *get,ae,elem,i,aproj,y !此命令用单元Y投影面积
! *get,ae,elem,i,aproj,z !此命令用单元Z投影面积
xe=centrx !单元中心X坐标(用于求解压力值)
ye=centry !单元中心Y坐标(用于求解压力值)
ze=centrz !单元中心Z坐标(用于求解压力值)
! 下面输入压力随坐标变化的公式,本例的压力随X和Y坐标线性变化.
p_e=(xe-10)*press+(ye-5)*press
f_tot=p_e*ae
esel,s,elem,,i
nsle,s,corner
*get,nn,node,,count
f_n=f_tot/nn
*do,j,1,nn
f,nelem(i,j),fx,f_n !压力的作用方向为X方向
! f,nelem(i,j),fy,f_n !压力的作用方向为Y方向
! f,nelem(i,j),fz,f_n !压力的作用方向为Z方向
*enddo
*endif
esla,s
*enddo
aclear,all
fcum,repl !!!将力的施加方式还原为缺省的"替代"
dofsel,all
allsel
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条