1) hole and electron transporting materials
空穴和电子传输材料
2) electrons and holes transporting
电子和空穴传输
3) hole transporting material
空穴传输材料
1.
Synthesis of Hole Transporting Materials and Polycarbonate;
新型空穴传输材料及聚碳酸酯的合成
2.
A summary of nanocrystalline TiO 2 film,dye sensitization and hole transporting materials is also given.
本文介绍了染料敏化纳米太阳能电池的结构和原理 ,对纳米TiO2 膜、敏化染料、空穴传输材料的研究进展进行了综述 。
3.
Function separated organic photoconductive devices were fabricated using synthesized compound as hole transporting material, Y-TiOPc as charge generation material.
分别以β-NPB和α-NPB为空穴传输材料,以酞菁氧钛为电荷产生材料制备功能分离型有机光导器件,并测试光导性能,测试结果表明,器件的半衰减曝光量(E1/2)分别为0。
4) hole transport material
空穴传输材料
1.
Study on synthesis and properties of 9,10-anthryldiamine derivatives as a novel hole transport material;
新型蒽基二胺类空穴传输材料的合成和性能研究
2.
The synthesis of biphenyl triarylamine for hole transport material and study on its photoelectric performance;
联苯类三芳胺空穴传输材料的合成及其光电性能研究
3.
Synthesis,thin film photoluminescence and energy level comparison of novel hole transport material of N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-4,4′-naphthidine;
新型空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-4,4′-联萘胺的合成、薄膜发光与能级比较
5) hole-transport materials
空穴传输材料
1.
The progress in synthesis of hole-transport materials is summarized in this paper.
有机电致发光中空穴传输材料对整个器件的性能有重要作用。
2.
In recent years, an amount of research has been directed to the hole-transport materials for use in organic light-emitting diodes (OLEDs) in an effort to improve the film forming ability and thermal stability of the materials.
有机空穴传输材料的成膜性及其薄膜的热稳定性对于提高有机电致发光器件的效率和寿命具有重要的作用。
6) hole transport materials
空穴传输材料
1.
Development of triarylamines as organic hole transport materials;
三芳胺类空穴传输材料研究新进展
2.
Synthesis of star-arylamines hole transport materials;
星状四芳胺类空穴传输材料的合成
3.
Study on Synthesis and Property of the Novel Hole Transport Materials for Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs);
新型空穴传输材料的合成和性能研究
补充资料：《半导体中的电子和空穴》
关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条