1) Substrate resistivity
衬底阻抗
2) high resistance substrate
高阻衬底
1.
The results show that reasonable design can improve latch up immunity in high resistance substrate,the validity is proved in si.
对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。
3) substrate resistance
衬底电阻
1.
An accurate method to extract substrate resistances of RF MOSFETs is proposed.
通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法。
4) HR-Si substrate
高阻硅衬底
5) low-resistivity silicon(LR-Si) substrate
低阻硅衬底
6) sea bottom impedance
海底阻抗
1.
Studies on Scattering from Ellipsoids in a Shallow Water with sea bottom impedance
海底阻抗对浅海波导中椭球体的声散射研究(英文)
补充资料：星接阻抗和三角接阻抗的变换
星接阻抗和三角接阻抗的变换
transformation between starc-onnected and delta-connected impedances
x ing]一e乙日kongl介e sonJ一00}Iez日伙ongde匕一。一〕huon星接阻抗和三角接阻抗的变换(t ransfor-mation betweenstar一eonneeted and delta-eonneeted imPedanees)接成星形的三个阻抗和接成三角形的三个阻抗互相替代的等效变换。它们之间的关系可用一组变换公式表示。按这组公式，用星接阻抗替换三角接阻抗或者反过来，不会影响稳态下电路其他部分的正弦电压和电流，常用于对称三相电路的分析和计算。 图1为三个阻抗21、Z:、23接成星形(又称丫形)。图2为三个阻抗Z小22。、Zal接成三角形(又称△形)。它们之间的变换公式如下:人23土图1星接阻抗图2三角接阻抗(1)将星形连接变换成三角形连接212一Z:+22+2 122及3一22+za十警(1)、|冬|矛231一23+21+2321(2)将三角形连接变换成星形连接z、-二一典乒兴-) 艺‘2士乙“3十乙31…_2 oqZI，}Z。一下万~一二-二二-汁 乙‘2士乙23十乙3‘1_Z。IZoq}艺q一二二一~二，二二--，-二二-~J 乙12十乙23十艺32夕(2) 当三个星接阻抗相等，即21一Z:一23一z丫、三个三角接阻抗相等即212一223一231一Z△时，变换公式是 Z二一32丫，Z丫一Z△/3
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参考词条