1) surge experiments
浪涌试验
2) surge chamber surge test
调压室涌浪试验
3) lightning surge immunity test
雷击浪涌抗扰度试验
4) Lab flume testing
波浪试验
5) Surge
[英][sɜ:dʒ] [美][sɝdʒ]
浪涌
1.
The Suppression of Surge Interference of Household Appliance;
家用电器的抗浪涌干扰抑制
2.
An anti-surge test on power supply of DC-port of communication equipment;
通信设备二次电源DC口的防浪涌测试研究
3.
Surge Immunity Test of the Electronic Equipment;
电子产品的(雷击)浪涌防护标准及测试
6) swell
[英][swel] [美][swɛl]
涌浪
1.
The dynamic ocean surface containing swell is constructed on the basis of random ocean wave theory,and the Mapping Project Algorithm(MPA) is introduced to simulate polarimetric Synthetic Aperture Radar(SAR) images of ocean wave.
根据随机海浪理论构造了包含涌浪的动态海面,采用映射投影算法模拟了海浪的全极化合成孔径雷达图像。
2.
Whether the swell produced by the coffer dam falls can causes the harm to the periphery building and the environment,is always the problem people concerned.
长江三峡工程三期上游碾压混凝土围堰中段380 m采用预埋药室(孔)向上游倾倒爆破法予以拆除,围堰倾倒时产生的涌浪是否会对周围建筑物和环境造成危害,一直是人们关注的问题,通过1∶100的围堰倾倒模型试验,测得了围堰倾倒时的涌浪特性、传播规律,并预测了实际围堰爆破时将产生的涌浪高度,对围堰爆破的安全防护设计具有重要的指导意义。
3.
By comparing two different directional distributions,it s shown that the directional distribution recommeded in the nowaday specifications in China is characteristic of wind wave and swell with short propagation distance and in good agreement with Mitsuyasu direction distribution.
通过比较光易型和我国规范中两种不同的方向分布函数,表明我国规范推荐的方向分布函数表现为风浪和传播距离较短的涌浪特征,并与光易型方向分布函数有很强的一致性。
补充资料：浪涌抑制器
浪涌抑制器
surge eliminator
熄弧。由于充气放电管击穿时放电电压、电流突变可能冲击被保护的电路。因此在使用时，应将它安装在高阻抗箱人电路的前面，以避免电路中动态负阻抗冲击的影响。 如图l所示的三电极充气放电管，将两个电极连接到线路上，而第三个电极接地，这种器件不仅可以有效地克服共模瞬变过程.还能克服差模瞬变过程和不平衡共模瞬变过程。 金属氧化物变阻器(压敏电阻〕是含有氧化锌、铸、钻、锰等氧化物的电阻器，一般称作压敏电阻。金图l三电极充气放电管属氧化物变阻器的阻值呈现极强的非线性，其伏安特性可以用公式I二kU”(式中，k为常数，U为变阻器的端电压，指数”的范围为2~2.5，I为流过变阻器的电流)及图2表示。由图可见，正常情况下，流过变阻器的电流很小。当流过变阻器的电流增加时，变阻器的电阻迅速减小，结果是变阻器端电压的增加远远小于电流的增加，而达到限幅的目的。浪涌过后能自动恢复正常，响应时间为毫徽秒。变阻器的优点是:电压、电流额定值有较宽范围，通流容量大，伏安特性具有对称性，具有很好的限压性能和对称籍位特性。缺点是:极间电容较大，在正常时也从线路上吸收一些无功图2压敏电阻的伏安特性功率，特别是高颇时对线路的阻抗有影响，在射颇电路中影响信号传翰，需谨懊使用。变阻器与被保护电路之间的配线应尽可能短，以减小杂散电感，提高保护效果，流有浪涌放电回路的线应尽可能远离信号线，在70~85℃温度范围内使用变阻器时应降倾使用。变阻器上通过的浪涌能量超过允许值时有烧坏的可能，为防止短路引起的故障，可申接一熔断器一起使用。 硅雪崩抑制器一种具有雪崩效应的硅半导体二极管，它具有很快的响应时间(纳秒级)和很好的籍位功能(导通时具有低电压降)，可以有效地抑制线路感应的电磁脉冲。硅雪崩抑制器限于在较低的电压下使用，由于半导体允许通过的峰值电流比较小，所以一般都用在设备的内部电路。如将它与其它的保护器结合使用，可以有效抑制电磁脉冲.硅雪崩抑制器的吸收能力取决于其PN结的面积，峰值功率可达4o0w到500Ow，可用在5~300V的电路中。对较窄脉冲，其吸收功率峰值较大;对较宽脉冲.其吸收功率峰值较小;对重复的高颇过电压，有很好的抑制效果且有较好的籍位特性。 浪涌抑制器混合网络由两个以上的浪涌抑制器组成。用来增强抑制电压、电流的能力，改善对瞬变过程的响应和消除单一器件工作时可能伴有的有害特性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条