1) benefit of outer extension
外延效益
2) extended returns
延伸效益
3) external benefit
外部效益
1.
Research on external benefit evaluation of ecological investment for water conservancy;
水利生态投资项目外部效益评价研究
2.
The characteristic of external nature about transportation includes external benefit and external cost, the main aim of internalization of external nature is to maximize the social benefit.
交通运输的外部性特征表现为外部效益和外部成本,外部性内部化的总目标是使社会效益 (社会福利)最大化。
3.
The results demonstrate that the policy failure of agricultural land protection lies in the pursuit of external benefit and lack of fair compensation and incentive.
研究目的:从农地外部效益角度,探讨农地保护产生机制及其政策缺陷,寻求改进措施。
4) outflow profit
外溢效益
1.
The outflow profit from educational investment in Shaanxi was measured by applying the Feder model.
运用菲德模型对陕西教育投资外溢效益进行测定,结果表明,陕西教育投资弹性为18。
5) externality
[英][,ekstə:'næliti] [美][,ɛkstɚ'nælətɪ]
外部效益
1.
Also the author discusses the externality problem of the benefits of academic journals,and the approaches to resolve the externality problem with the market mechanism and the government intervention,the standards of government interventions and the principles that establish the best intervention modes.
以经济学理论为依据,分析学术期刊生产、销售和消费的性质;讨论学术期刊的外部效益问题;探讨以市场机制和政府干预为理论依据解决学术期刊外部效益问题的途径以及政府干预的准则和确立最佳干预模式的原则。
2.
This tendency emerged because the public became more and more aware of the importance of ECE; the externality of ECE was discovered; and the deficiency of ECE market was revealed.
这一趋势的出现基于对幼儿教育重要性的认识、有关幼儿教育的正外部效益的发现和对幼教市场缺陷的揭示。
6) the outflow of benefit
效益外流
补充资料：半导体外延生长
半导体外延生长
epitaxial growth of semiconductors
半导体外延生长即itaxial盯owth of semieon.ductors将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如GaAs层沉积在GaAs衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如GaAIAs层沉积在GaAs衬底上。 外延条件与特征根据外延的定义，通常需要满足两个条件:①外延层和衬底的晶体结构必须具有相同的结晶空间群;②外延层和衬底的晶格参数必须尽量匹配。所谓尽量匹配，至今尚无定论，但有一般规律。如果晶格失配度定义为 。=(aL一隽)/aAv，(式中al_和绳分别为外延层和衬底的晶格参数，吸v为其平均值)，则当。蕊10一时，外延生长将使外延层产生晶格变形，以便穿越衬底和外延层，保持真正的晶格平面连续性;当:>10一时，则界面将产生失配位错等缺陷，以调节衬底和外延层之间存在的晶格失配和增加外延层成核困难的趋势。 与体单晶生长相比，外延生长具有下列优点:①外延温度比体单晶的熔点低，可减少杂质沾污;②可采用经过提纯的高纯原料，提高半导体的纯度;③可实现异质外延;④可制备多层和超薄层，甚至超晶格和原子层结构材料;⑤可控制外延层厚度、掺杂浓度和改变导电类型等。 外延方法及制备近10年来，外延生长的工艺和理论都有很大进展。选择合适的外延方法，不但可以获得高纯度、低位错、突变界面、高生产率、高均匀性和良好重复性的半导体材料，而且能够进行单原子层的外延，即所谓原子层外延(ALE)和原子层掺杂。后者为研究突变界面结构材料和在原子级水平上理解同质和异质外延的机理提供十分重要的信息。 随着半导体异质结制备，大面积集成、光电集成、超晶格与相应结构的发明和创造，使半导体材料、器件及电路进入新的水平，而这些结构只能用外延方法制备。常用的外延方法主要有4种:①气相外延(VPD。在51外延中常称化学气相沉积(CVD)。VPE与CVD的区别在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反应物在流动气流中输运至衬底，然后进行沉积。金属有机化合物气相外延(MOVPE)是VPE中一种较新的工艺。
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参考词条