1)  C-V
C-V
2)  C-V characteristics
C-V特性
1.
Study of the C-V characteristics of the In/ Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si structure;
MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究
2.
The C-V characteristics of the MOS capacitor with ultra thin HfO2 as gate dielectrics pretreated in NH4F and annealed in high temperature are investigated by simulation and experiment.
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合。
3.
The distortion of the C-V characteristics of a SiC buried-channel MOS structure is presented.
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变。
3)  C-V curve
C-V曲线
1.
The asymmetry of C-V curves of Ba_xSr_(1-x)TiO_3 thin films;
钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究
4)  C V alloy
C-V合金
5)  High carbon and high V content
C、V合金
6)  C-V technology
C-V技术
参考词条
补充资料：2-[2-[4-[2-(4-Cyanophenyl)vinyl]phenyl]vinyl]benzonitrile
分子式：C24H16N2
分子量：332.40
CAS号：13001-38-2

性质：熔点181-186°C。水溶性insoluble。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。