1) CVD diamond film
CVD(化学气相沉积)金刚石膜
2) CV
CV
1.
UV and CV Study on the Complexes of Ce(IV) and Amino acids;
铈氨基酸配合物的UV和CV方法
2.
Researching the Duration of IQC and the Chosen Value of CCV;
IQC持续性与CCV选定值的探讨
3.
The parameters measured such as diameter, CV, distribution rate of diameter's thick-and-thin and yarn morphology graph are analyzed and compared.
为了对变形纱外观形态特征进行更好的评价,利用EIB对线密度接近(16tex左右)的棉纱、毛纱、加捻长丝、空气变形纱和假捻变形纱分别进行测试,对获得的纱线直径、纱线片段不匀(CV)、直径粗细分布、纱线模拟形态图等参数和指标进行分析,并在此基础上对实验纱线直径变化情况进行比较和评价。
3) CV
CV值
1.
By comparing and analyzing the CV tested by Uster and CTT,The article point out that the two CV have the special relationship and the numerical difference.
通过对Uster条干仪和CTT所测纱线条干CV值的对比分析,得出二者之间具有一定的相关性,只是存在数值上的差距。
2.
Taking pure cotton yarn and polyester/cotton blended yarn as examples, the experimental analysis was done for the factors like yarn evenness CV,twist and spindle speed affecting single yarn twist CV.
以纯棉纱和涤棉混纺纱为例,就纱线条干、捻度、锭速等对单纱捻度CV值的影响进行了实验分析,用数理统计的方法得出条干CV等因素与成纱捻度不匀率间的相关关系,探讨了降低捻度不匀率CV值的有效措施。
4) CV value
CV值
1.
Efficiency correspond to earthquake of index Cv value of hydrochemistry anomaly space non -uniformity;
水化异常空间非均匀性指标Cv值的映震效能
2.
feedforward control of flow rate,feedforward control from flow rate to Cv value,feedforward control of circulating capacity.
就目前TRT系统中采用的三种前馈控制方法即流量前馈控制、流量转Cv值前馈控制、流通能力相等前馈控制进行了分析对比,提出了优先采用的控制方法。
5) CV-IgM
CV-IgM
1.
The patients with upper respiratory tract infection or pneumonia whose CV-IgM were positive were randomly divided into 2 groups.
并将CV-IgM阳性上呼吸道感染(上感)、肺炎患儿均随机分为2组,干扰素组在对照组治疗的基础上加用干扰素注射液肌注。
6) LabWindows/CVI
LabWindows/CV
参考词条
LOI-CV
CV法
质量CV
条干CV值
CV准则
结晶紫(CV)
条干CV
捻度CV
强力CV
单强CV值
成纱CV值
CV曲线
条干CV%
条干CV%值
单强CV%值
极限CV值
潜艇舱室
引种鉴定
补充资料:化学气相沉积
分子式:
CAS号:
性质:利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法,常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料,是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如,高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜,这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
CAS号:
性质:利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法,常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料,是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如,高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜,这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。