1) GaAs output coupler
GaAs耦合窗口
2) coupling aperture
耦合窗
1.
By improving coupling aperture, power can be fed in microwave cavity to the greatest extent, which can on one hand greatly improve use efficiency of m.
如何通过对耦合窗的改进,使能量最大限度的馈入微波炉腔体,这一方面可以提高微波炉的利用效率,另一方面,使尽可能少的能量反射回磁控管,从而避免磁控管使用寿命缩短,甚至损坏管子。
3) GaAs source-couple FET logic
GaAs源耦合场效应管逻辑
4) Sinusoidal-coupling Window
正弦耦合窗
1.
A new concept of "Sinusoidal-coupling Window"and its implement step,and the matrix description of mathematical model were presented.
为解决任意角度的低成本、小尺寸、高线性度的非接触式测量问题,叙述了一种基于收发器技术的角度传感器的设计原理和特点,分析了该角度传感器的关键器件耦合板的参数设计,提出了正弦耦合窗的概念,给出了制作步骤及其数学模型的矩阵描述。
5) the infrared output-coupler
红外耦合窗
1.
In order to effectively solve high power CO 2 laser s HR-coating infrared output-coupler absorbing laser energy generate thermal effect problem,over coating parameters and working characteristic analysis, the infrared output-coupler thermal model is built.
为了有效地解决高功率CO2 激光器高反膜红外耦合窗吸收谐振腔内激光能量产生热效应问题 ,通过对红外耦合窗镀膜参数和工作特性分析 ,建立了红外耦合窗热模型。
6) microwave coupled window
微波耦合窗
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条