非线性平面光波导,nonlinrar planer optical waveguide,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) nonlinrar planer optical waveguide 点击朗读

非线性平面光波导

2) nonlinear optical waveguide 点击朗读

非线性光波导

For the nonlinear optical waveguides with nonlinear dielectric top layerx and parabolic index guided layer,the nonlinear wave equations have been solved exactly.

对由非线性上包层和抛物折射率分布的导波层构成的非线性光波导，严格求解了非线性波动方程，推导出导波模式的显式解析形式模方程和表达式。

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3) nonlinear guided wave optics 点击朗读

非线性导波光学

4) nonlinear guided wave 点击朗读

非线性光导波

5) Nonlinear slab optical waveguides 点击朗读

非线性平板光波

6) planar optical waveguide 点击朗读

平面光波导

Effect of post treatment on planar optical waveguide of ion-exchanged phosphate glass; 点击朗读

后处理对离子交换磷酸盐玻璃平面光波导的影响

Through optimization of process technology, we obtained high-quality waveguide film layer and fabricated low-loss planar optical waveguide and AWG devices whose propagation loss is less than 0.

1 dB/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件。

The key technology and application of planar optical waveguide are analyzed,and different kinds of planar optical waveguide devices including silicon-based silicon dioxide deposition waveguide,LiNbO3 waveguide incorporating a metal film,polymer waveguide,are presented.

分析了平面光波导器件的关键技术及其应用情况。

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补充资料：半导体非线性光学材料

半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。

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参考词条

非线性迭层式波导光栅非线性多层光波导非线性光子晶体波导非线性波导光折变非线性表面波平面非线性

平面光波导线路(PLC) 有限宽非线性平板波导

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 非线性平面光波导 1) nonlinrar planer optical waveguide 非线性平面光波导例句>> 2) nonlinear optical waveguide 非线性光波导 1. For the nonlinear optical waveguides with nonlinear dielectric top layerx and parabolic index guided layer,the nonlinear wave equations have been solved exactly. 对由非线性上包层和抛物折射率分布的导波层构成的非线性光波导，严格求解了非线性波动方程，推导出导波模式的显式解析形式模方程和表达式。更多例句>> 3) nonlinear guided wave optics 非线性导波光学 4) nonlinear guided wave 非线性光导波 5) Nonlinear slab optical waveguides 非线性平板光波 6) planar optical waveguide 平面光波导 1. Effect of post treatment on planar optical waveguide of ion-exchanged phosphate glass; 后处理对离子交换磷酸盐玻璃平面光波导的影响 2. Through optimization of process technology, we obtained high-quality waveguide film layer and fabricated low-loss planar optical waveguide and AWG devices whose propagation loss is less than 0. 1 dB/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件。 3. The key technology and application of planar optical waveguide are analyzed,and different kinds of planar optical waveguide devices including silicon-based silicon dioxide deposition waveguide,LiNbO3 waveguide incorporating a metal film,polymer waveguide,are presented. 分析了平面光波导器件的关键技术及其应用情况。更多例句>> 补充资料：半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料 semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条非线性迭层式波导光栅非线性多层光波导非线性光子晶体波导非线性波导光折变非线性表面波平面非线性

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