1) XeCl、Xe laser
XeCl、Xe激光器
2) XeCl excimer laser
XeCl准分子激光器
1.
Design and optimization of the XeCl excimer laser′s stimuli circuit;
XeCl准分子激光器激励电路设计与优化(英文)
2.
The design and optimization of the XeCl excimer laser s stimuli circuit;
XeCl准分子激光器激励电路设计与优化
3) XeCl laser
XeCl激光
1.
Design of a new short pulse width XeCl laser with high power based on quartz films and laser pulse profiles analysis;
基于类金刚石沉积的短脉宽XeCl激光设计及脉宽分析
2.
We studied the fluence threshold on etching of glass and diamond by XeCl laser,and variation of etching depth per laser pulse with laser fluence and laser frequency rates.
研究了XeCl激光精细刻蚀玻璃、金刚石等材料的能流阈值和单脉冲能流密度、激光脉冲重复频率等激光参数对单脉冲刻蚀深度的影响，并与理论计算结果进行了比较，为XeCl激光在该加工领域的实际应用提供了实验数据和理论依据。
4) XeCl(308 nm)laser
XeCl(308nm)激光
5) Xe laser
Xe激光
补充资料：半导体激光泵浦的激光晶体
半导体激光泵浦的激光晶体
LD pumped laser crystal
半导体激光泵浦的激光晶体LD PumPed lasercrystal适用于半导体二极管作泵浦源的激光晶体。传统的固体激光器一般用闪光灯泵浦，由于闪光灯的发光区域宽，只有一部分能量被吸收后转换成激光，大部分转换成热量，使工作物质温度上升，恶化了输出激光束的质量。半导体激光器输出的激光谱线窄(一般为几纳米)，选择合适的半导体激光器，使其激光光谱与某种固体激光材料的吸收光谱匹配，即可达到高效泵浦，大大减轻固体工作物质的热负荷。 因为半导体激光器光泵区域小，需用的晶体尺寸也小，因此要求基质晶体内可掺入的激活离子浓度要高，且不产生浓度碎灭。此外，要求与光泵的半导体激光波长相匹配的晶体的吸收带要宽，吸收系数要大;要有低的阑值功率;Q开关运转时，荧光寿命要长。当泵浦光源从闪光灯改变为半导体激光二极管时，对被泵浦的激光晶体产生了不同的要求。用闪光灯泵浦时，对材料的热性能和机械性能有严格要求，而半导体泵浦则更注重材料的光谱性能。 在已使用的激光晶体中，掺钱石榴石(Nd:YAG)晶体的阑值功率低，光学质量高，是应用于半导体激光光泵的固体激光器的主要材料。由于Nd3+离子在基质晶体中受分凝系数的限制，Nd3+离子浓度不能太高，所以一些氟化物和钨、钥酸盐晶体等掺杂浓度高，激光效率高，荧光寿命长，有可能成为半导体激光泵浦的后选晶体。 用半导体泵浦可制成效率高、功率和频率稳定、激光束质量好、寿命长的全固化激光器，并经各种频率转换技术，可发展成各种波长、各种模式、各种运转方式的激光器，这种激光器将在很大范围内取代已有的各类固体、液体和气体激光器。 (沈鸿元)
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参考词条