1) visible laser diode
可见光半导体激光器
1.
Many merits and the general applicatlons of visible laser diodes are dis-cussed,The necessity of collimating, shaping and eliminating astigmatism is analyzed due to characteristics of laser diodes,The applicable design of optical systems for collimating,shaping eliminating astigmatism, etc.
本文讨论了可见光半导体激光器的很多优点及其广泛应用，从半导体激光器的特点出发，分析了设计准直、整形、消象散的必要性，并具体讨论了包括准直、整形、消象散等光学系统的设计，具有实用性。
2) tunable diode laser
可调谐半导体激光器
1.
After comparing every method by measuring principle,resolution and measurement range,a CSWC ADI system was conceived with tunable diode laser to measure the step height in nanometer.
在此基础上提出以可调谐半导体激光器作为光源,采用可调合成波长链法实现纳米级精度毫米级量程的台阶高度测量,详细分析了方案的原理误差,得到最后的结论。
2.
We conceive a CSWC ADI system with tunable diode laser to measure the step height in nanometer scale,and analyze the theoretic uncertainty of the experiment.
文章在分析台阶高度测量现状和背景的基础上,着重介绍了用半导体激光器实现台阶高度的绝对干涉测量方案,提出以可调谐半导体激光器作为光源,采用可调合成波长链法实现纳米级精度毫米级量程的台阶高度测量,并详细分析了本方案的原理、误差。
3) tunable semiconductor lasers
可调谐半导体激光器
1.
The state of the arts about tunable semiconductor lasers for optical communication systems is reviewed.
文章概述了用于光通信系统中的可调谐半导体激光器的研究进展。
4) tunable semiconductor laser
可调谐半导体激光器
1.
The tunable semiconductor lasers are important for a variety of applications such as optical communications.
文章立足于实际应用，从谐振腔的结构出发，以调谐机理为研究对象，对可调谐半导体激光器进行了分类研究，并对它们的调谐特性做了总
2.
2 In the second chapter, the operating principles of tunable semiconductor lasersand the tunable principles of tunable filters .
2 论文在第二章介绍了可调谐半导体激光器的工作原理，以及用于可调谐光纤激光器的可调谐滤波器的工作原理。
3.
Bragg gratings and tunable semiconductor lasers are some of essential devices inoptical networks,and provide important guarantee for the reconfigurable AutomaticallySwitched Optical Network (ASON).
Bragg光栅和可调谐半导体激光器是全光通信网络的重要组成部分之一，为实现可重构的智能光网络提供了保障。
5) semiconductor laser
半导体激光器
1.
A Design of semiconductor laser temperature control;
半导体激光器的温度控制器的设计
2.
Stable power semiconductor laser based on MSP430;
基于MSP430单片机的稳功率半导体激光器的设计
3.
Experimental study on the spectral stabilization of the output of semiconductor laser;
半导体激光器输出光谱稳定性的实验研究
6) Diode laser
半导体激光器
1.
The design and implementation of a low-noise diode laser drive power;
低噪声半导体激光器驱动电源的研制
2.
Reliability and lifetime assessment of high-power diode laser;
高功率半导体激光器的可靠性与寿命评价
3.
Inter-mode intensity correlations in a free-running diode laser;
自由运转半导体激光器边模间的强度关联
补充资料：可见光半导体激光材料
可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials
可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短，禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1)，故其晶体结构、能带结构一致，禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜，AI，As │GaAS │x二0 .4y=0，7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga，一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx)，P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了)，，P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时，其激活层含有很高的AI组分，禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、)，In，一，l，的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难，并引起器件快速退化，故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条