补充资料：生长区

生长区
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「1 11口。/[10〕饰/生长速率恒定，即各晶面的生长速率的比值为恒值。生长区的出现和形态，决定于晶体生长速率的各向异性，服从快面隐没、慢面显露的晶面淘汰律。四次对称二维晶体生长区中(见图)，当{10}面的生长速率v。与{川面的生长速率v，的比值满足招/2<业<招时， V{10}和{11}面在界面上同时存在，在生长过程中按比例扩大，它们形成生长区(图a)。当业 Vl、乎，则“‘，面将消失(图b)，晶体稳态生长只出现{10}形成的生。。、犷些l叼二维晶体生长区示意图平坦的小晶面。在此情况下，生长区和非小面生长区。 长区。图“表示当登 )招时，{10}面将消 失，最后只形成{11}面 的生长区。对于三维晶 体，自由生长系统中的 生长区为锥体，故有时 将生长区称为生长锥。 在熔体生长中，有时在 弯曲的生长界面上出现长成的晶体中可分为小面 (洪静芬)生长区growth SectorS同一个晶面在生长过程中形成的空间区域。晶体生长过程是组成生长界面的各晶面沿各自的法线方向向母相推移的过程。各晶面推移所经历的三维空间，就是各晶面形成的生长区。 在生长驱动力相等的自由生长系统中，任一晶面的

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