1) nonlinear frequency response behavior
非线性频响特性
2) non-ideal frequency character
非理想频响特性
1.
In this paper,a new method for design of 1─D multi-stopband FIR digitalfilter via non-ideal frequency character is proposed.
本文提出了基于非理想频响特性的多阻带一维ＦＩＲ数字滤波器的设计新方法，该设计过程简单直观，可消除采用窗函数等常规方法产生的Ｇｉｂｂｓ效应。
3) frequency response curves
频响特性曲线
1.
Some important parameters of 13-segment bimorph deformable mirror have been ob- tained,such as original surface,δ-V curves,frequency response curves and influence function matrix.
本文介绍自适应光学用13单元双压电晶片变形反射镜原始面形、δ-V 曲线、频响特性曲线、静态影响函数矩阵等几个主要性能参数的测试方法和测试结果。
4) frequency response characteristics
频响特性
1.
According to the simulating model,it analyzed the influence of valve frequency response characteristics impacted by the frequency response of reversal valve and switch valve.
利用AMESim和matlab/simulink仿真软件联合建立GPCM控制液压伺服系统的物理仿真模型,仿真分析换向阀和开关阀响应频率等因素对阀频响特性的影响。
5) frequency response characteristic
频响特性
1.
Numerical examples are provided to investigate frequency response characteristic of internal pressure and the influences of opening ratio, opening numbe.
针对结构迎风面开孔的不利状况,根据伯努利方程导出内压响应动力微分方程,再采用能量法将非线性阻尼线性化,结合随机振动理论及迭代算法得到风致内压脉动量,通过数值算例分析了开孔结构内压频响特性及开孔率、开孔数量与开孔位置对风致内压脉动的影响。
2.
The mechanical structure is analyzed by finite element analysis software,and then the statics deformation and the frequency response characteristic about the direction of the structure is obtained.
采用有限元分析软件对机械结构进行了分析,得到了机械结构工作方向的静力学变形图和频率响应特性曲线;对低频状态驱动器的旋转分辨率进行了试验测试,并对样机的频响特性进行了试验测试,结果表明仿真分析结果基本反映了机械结构的谐振频率分布状况,对结构优化设计具有一定的意义,此外对影响测试结果精度的因素进行了分析。
3.
The broad frequency band absorption of the materials depends on good frequency response characteristic.
本文将不同长度的碳纤维和炭黑与不同基体以不同质量比分别制备出一系列试样，研究了纤维长度、含量和炭黑含量对复介电参数和频响特性的影响规律以及对其影响机制进行了分析比较。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条