1) photoconductive response
光电导响应
1.
The profiles of the stable-antephotoconductive response and the minority carrier lifetime of a narrow band Hg1-xCdxTewere studied.
实验测量了光斑的尺寸，最后用此光学系统研究了窄禁带半导体Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的稳态光电导响应和少子寿命分布。
2.
The uniformity of the stable-state photoconductive response and the transient decay response of Hg1-xCdxTe (MCT) material is studied.
研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导。
2) transient photoconductive response
瞬态光电导响应
3) spectral resonance of photo conductivity
光电导的光谱响应
4) Photoresponse
[,fəutəuri'spɔns]
光电响应
1.
Origin of Photoresponse Transition of Copper Electrode from p-Type to n-Type;
铜电极光电响应p型转变为n型的机理探讨
2.
The crystal structure and photoresponse of ZnO thin films fabricated on ITO substrates;
在双层薄膜中空间内建电场的存在有助于光生电子和空穴有效地分离,使ZnO/ITO双层薄膜具有较强的光电响应能力,光电流达14μA。
5) electronic-opto response
电光响应
1.
The reform involves the adoption of a laser to emit a LCD panel, and a detector to measure the characteristic of viewing angle and electronic-opto response of LCD pixel.
通过实验系统功能的扩展,利用一激光照射液晶屏,再通过一激光探测器进行测试,可测试液晶像素的视角特性和电光响应曲线,强化了学生综合能力的训练。
6) photoelectric response
光电响应
1.
The causes for CCD dark current and photoelectric response are theoretically analyzed.
从理论上分析了CCD暗电流和光电响应不均匀性产生的原因,根据光电响应模型提出了CCD像素光电响应不均匀性的校正方法,给出了像素光电响应不均匀性的校正系数用以计算校正量;并针对实际情况中干扰光的影响,提出了采用变波长去除干扰方法,对校正方法进行了修正;最后通过仿真对算法进行了验证。
2.
The influence of non-uniformity for sub-pixel determination, the cause for CCD dark current and photoelectric response are theoretically analyzed.
从理论上分析了像素响应不均匀性对CCD亚像素细分的影响 ,以及CCD暗电流和光电响应不均匀性产生的原因。
3.
The evaluating algorithm of the probability contribution of BR′s spectrum and photoelectric response is suggested on the basis of the perceptron algorithm.
依据感知器原理提出了光谱和光电响应概率贡献的估计算法 ,进行了实例运算 。
补充资料：半导体的光电导
半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内，又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现，并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始，由于半导体物理学的发展,先是硫化铅的,尔后是其他半导体的光电导得到了充分研究。并由此发展了从紫外、可见到红外各个波段的辐射探测器。研究这现象也是探索半导体基本性能的重要方法之一。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计，ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始，能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加，复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间，或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流，这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率，与材料的基本参量，如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计，ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始，能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加，复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间，或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流，这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率，与材料的基本参量，如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条