1) strongly nonlinear oscillators
强非线性振子
1.
A generalized averaging method is used to analyze the resonant response of the strongly nonlinear oscillators.
应用一种推广的平均法研究强非线性振子的共振响应，与数值积分法作了比较，结果是令人满意的。
2) strongly nonliear symmetric oscillator
强非线性对称振子
3) nonlinear oscillator
非线性振子
1.
This paper studies chaotic motions in a nonlinear oscillatory system perturbed by external harmonic force and bounded noise excitation.
研究谐和外力与有界噪声激励联合作用下的一类非线性振子的混沌运动。
2.
Formulas of period versus amplitude relation are obtained for nonlinear oscillators from the energy integral.
本文从能量积分出发推导出F =-cxn 类型的特殊非线性振子运动的周期 振幅关系式 ,并得到一些归纳性结
3.
In this paper, we study a class of nonlinear oscillators with parametric and forcing excitation.
本文研究了一类参数激励和外激励联合作用下的非线性振子,发现其浑沌运动的分布在控制参数平面上具有对称性。
4) strongly nonlinear oscillation
强非线性振动
1.
The conventional normal form theory is improved to deal with the asymptotic response of the strongly nonlinear oscillation system with two degrees of freedom, in addition, the bifurcation analysis is also carried out.
改进了传统规范形理论,使其适用于研究两自由度强非线性振动系统的渐近响应并进行了相应的分岔分析。
2.
In this paper, a new homotopy technique based on the parameter expansion (PE-HAM) is proposed to study strongly nonlinear oscillation.
提出了一种基于参数展开的新的同伦分折技术(PE-HAM):结合参数展开技术和同伦理论将一非线性动力系统(不要求系统内含有小参数)的求解问题转化为组线性微分方程的求解问题,并将之运用到强非线性振动领域。
5) strongly nonlinear flutter
强非线性颤振
6) resonantly enhanced nonlinearity
共振增强非线性
1.
It influences the electronic dipole-dipole interaction and the resonantly enhanced nonlinearity of erbium ions.
分析了发射谱线宽度对4,壳层电子相关性、电子偶极—偶极相互作用及共振增强非线性的影响。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条