1) ITO conductive films
ITO电薄膜
2) ITO transparent conductive membrane
ITO透明导电薄膜
1.
Brief description is made of the preparation technology,property and applications of ITO powder,ITO target materials and ITO transparent conductive membranes.
简述了ITO粉末、ITO靶材、ITO透明导电薄膜的生产工艺、性质及用途,并介绍了国内外有关资源储量、生产和消费市场情况。
4) ITO films
ITO薄膜
1.
Transparent conductive ITO films (5 wt%~20wt% Sn-doped) were fabricated on soda lime float glass substrate by a colloid technique.
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。
2.
High quality ITO films were deposited on glass substrates by sol-gel method in the solution composed of indium metal(In) and stannic chloride (SnCl 4·5H 2O).
以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组
3.
Zirconium-doped ITO films were deposited on glass substrate by co-sputtering technology with two targets.
利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化。
5) ITO film
ITO薄膜
1.
Influence of nitrification methods upon optical and electrical properties of ITO films;
氮化处理对ITO薄膜光电特性影响
2.
Experimental studies on thermal shielding and saving energy of the coated ITO film for automobile front windshield;
汽车前挡风玻璃用ITO薄膜的隔热及节能实验研究
3.
The experimental results showed that it is absolutely feasible to fabricate ITO film on the quartz matrix by sol-gel techni.
ITO薄膜具有由多个粒子堆积而成的多孔微观结构,其晶体结构为立方锰铁矿结构,[111]为明显的择优取向,经过5次镀膜后其厚度在150nm以下,薄膜的方电阻为110Ω,其电阻率约为1。
6) ITO thin films
ITO薄膜
1.
Progress in preparation of ITO thin films by Sol-Gel process;
溶胶-凝胶法制备ITO薄膜研究进展
2.
The XRD, SEM and EDS are used to characterize the ITO thin films.
以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。
3.
The phase composition and morphology properties of ITO thin films were characterized by the techniques of X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscope(SEM).
结果表明,采用溶胶-凝胶旋涂法制备的ITO薄膜是由立方相纳米颗粒构成,随涂层增加,薄膜表面变得平滑。
补充资料：薄膜电致发光材料
薄膜电致发光材料
thin film electroluminescent materials
薄膜电致发光材料thin film eleetrolumineseentmaterials在电场作用下直接将电能转换成光能的一种薄膜状发光材料。自1968年美国贝尔实验室研制出第一块薄膜电致发光屏以后，电致发光平板显示器得到了迅速发展。薄膜电致发光材料的发光机理和发光过程与粉末发光材料相似，只是在制成显示屏时不需要介质。与粉末发光材料相比，薄膜电致发光材料在电场激发下，可以获得更高的亮度和发光效率(达几个lm/W)，以及很长的寿命(10弓小时以上)。它适合于制作高分辨率的彩色固体平板化显示器(如彩色平板微机终端显示器等)。与液晶显示器相比，它具有主动发光、响应速度快(10~9秒)、视角大(160“)、使用温度范围广(一55一十125℃)、工艺简单等优点。但薄膜电致发光材料存在因交流电压激发而产生的驱动电路复杂等缺点。矩阵式薄膜电致发光显示器，已在微机终端显示、仪器仪表显示和大屏幕显示方面得到了商品化应用;并可望制成壁挂式彩色电视机。 种类薄膜电致发光材料分为交流电场激发和直流电场激发两类。后者正处于研究阶段，尚未得到应用。通常所说的薄膜电致发光材料均指前者。薄膜电致发光材料通常以宽禁带的硫化锌或碱土金属硫化物(硫化银、硫化钙等)作为基质，掺入锰离子或稀土氟化物作为发光中心。掺入不同的发光中心杂质，可获得不同的光色(见表)。薄膜电致发光材料种类和特性┌───┬───┬──┬───┬───┬──┬──┬───┐│发光 │Zx1S: │ZnS:│2115: │2115: │f终:│Sr鉴│InS: ││材料 │Mn │SmF3│TbF3，│ErF3 │EuF3│Cef3│PrF3 │├───┼───┼──┼───┼───┼──┼──┼───┤│发光 │黄色 │红色│绿色 │绿色 │红色│蓝色│白色 ││颜色 │ │ │ │ │ │ │ │├───┼───┼──┼───┼───┼──┼──┼───┤│光谱峰│585 │650 │542 │552 │648 │480 │542， ││值(nm)│ │ │ │ │ │ │552 │└───┴───┴──┴───┴───┴──┴──┴───┘ 现进入商品化应用的仅为ZnS:Mn黄色发光材料和ZnS:TbF3绿色发光材料。作为三基色的红色和蓝色发光材料，尤其是后者要达到商品化水平，还需进一步研究。 制备薄膜电致发光材料的制备主要采用真空蒸发和高频溅射。
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参考词条