1) extended defect and impurity
扩展缺陷和杂质
2) defect struchures
杂质和缺陷
3) Defect expanding
缺陷扩展
4) impurity defects
杂质缺陷
1.
In contrast with the case of pure lithium niobate crystals,the H+ directly participant in defect complex and distribute very near the highly-charged impurity defects in highly magnesium-doped lithium niobate crystals,which causes the OH- absorption peak varies with changing temperature.
通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化。
5) impurity and defect
杂质或缺陷态
6) impurity and defect levels in elemental semiconductors
元素半导体中的杂质和缺陷能级
补充资料：二次缺陷(见半导体中的杂质缺陷)
二次缺陷(见半导体中的杂质缺陷)
process-induced defects
二次缺陷proeess一induced defeets见半导体中的杂质缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条