1) top silicon layer
顶部硅层
1.
The results show that the extended defects and impurities behave as donor in the top silicon layer of the SIMOX specimens.
讨论了不同方法的测量，说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。
2) Top silicon surface
顶层硅膜
3) top seam
顶部煤层
4) Topside ionosphere
顶部电离层
1.
One part is the study of O+ field-aligned diffusive fluxes in the topside ionosphere.
本文主要包括两部分的内容,第一部分为顶部电离层O+场向扩散通量研究,分别利用CHAMP卫星和COSMIC星座的资料研究了太阳活动高年和太阳活动低年中低磁纬扩散通量的统计特征,还利用非相干散射雷达数据分析了磁暴时中纬顶部电离层扩散通量的变化特征;第二部分分析了CHAMP卫星的就地观测资料,包括大气密度、电子密度、电子温度,介绍了大气密度的反演方法,并进行了密度模式方面的初步探索,这部分有较强的应用价值。
5) bathyderm
深部硅铝层
6) top reflector
上部反射层，顶部反射层
补充资料：电离层顶部探测
利用空间飞行器携带小型垂直测高仪探测上部电离层的一种方法。上部电离层是指F2层电子密度最大值所在高度以上的电离层区域。上部电离层是不能在地面用垂直测高仪进行探测的（见电离层垂直探测），而必须将小型垂直测高仪放在卫星等飞行器上，在上部电离层或更高的高度上向下探测。顶外探测的主要参量是电子密度随高度的分布。其优点是可以连续获得较大范围的上部电离层电子密度剖面。
顶外探测的基本原理与电离层垂直探测相同，电离图如图。图中给出了虚深（或视在高度）与电波频率的关系。虚深是从卫星至电波反射处的距离。图中还有寻常波、非常波和Z波描迹（O、X和Z），可以用来推算电子密度分布。fOS、fXS、fZS为这3种波的低频端截止频率,它们相当于电波在卫星高度上的反射频率。fOF2、fXF2为F2层峰值处反射频率的寻常波分量和非常波分量，这些波还可能向下穿透F2层并在Es层或地球表面反射，产生Es层或地球回波的寻常波分量和非常波分量。fT是Z波的高频端截止频率,它是由于发射机浸在等离子体中而产生的。除了这些描迹外，当探测频率等于卫星附近的等离子体频率时，就会出现等离子谐振频率fN的谐振线；当探测频率等于卫星所在高度的电子回旋频率时，就会出现电子回旋频率fH的谐振线,或高次谐振现象，其频率为nfH。而上混合谐振频率。此外,当卫星所在区域的电子密度较低，即fI=fH时，还可观测到谐振差拍现象；在非常波描迹上观测到远距谐振现象，它发生在卫星以下高度，此时非常波的反射波频率等于2fH。
分析研究顶外探测的电离图，可以得到上部电离层的电子密度垂直剖面及其时空变化，还可以研究发生在电离层等离子体中的各种谐振现象。
顶外探测的基本原理与电离层垂直探测相同，电离图如图。图中给出了虚深（或视在高度）与电波频率的关系。虚深是从卫星至电波反射处的距离。图中还有寻常波、非常波和Z波描迹（O、X和Z），可以用来推算电子密度分布。fOS、fXS、fZS为这3种波的低频端截止频率,它们相当于电波在卫星高度上的反射频率。fOF2、fXF2为F2层峰值处反射频率的寻常波分量和非常波分量，这些波还可能向下穿透F2层并在Es层或地球表面反射，产生Es层或地球回波的寻常波分量和非常波分量。fT是Z波的高频端截止频率,它是由于发射机浸在等离子体中而产生的。除了这些描迹外，当探测频率等于卫星附近的等离子体频率时，就会出现等离子谐振频率fN的谐振线；当探测频率等于卫星所在高度的电子回旋频率时，就会出现电子回旋频率fH的谐振线,或高次谐振现象，其频率为nfH。而上混合谐振频率。此外,当卫星所在区域的电子密度较低，即fI=fH时，还可观测到谐振差拍现象；在非常波描迹上观测到远距谐振现象，它发生在卫星以下高度，此时非常波的反射波频率等于2fH。
分析研究顶外探测的电离图，可以得到上部电离层的电子密度垂直剖面及其时空变化，还可以研究发生在电离层等离子体中的各种谐振现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条