1) hot electron energy
过热电子能量
2) Hot electron
过热电子
1.
In the LOS, the polar material SiO2 is used as electron-accelerated layer; the maximal energy of hot electrons may achieve 10 eV.
在分层优化结构中采用了极性材料SiO2作为电子加速层,可以将过热电子的最大能量提到10 eV左右,增加了可以激发发光中心的过热电子数目,是提高无机薄膜电致发光效率的唯一的方法。
3) hot electrons
过热电子
1.
The first is to enhance the injected electron density and the energy of hot electrons.
为提高固态阴极射线发光亮度,以碰撞激发为核心,采取了两个方面的措施:第一是增大初电子的密度及过热电子的能量;第二是采用固态阴极射线发光和有机电致发光的混合或级联激发。
4) electron energy
电子能量
1.
Multiple ionization of diethyl ether cluster by nanosecond laser:generation of multiply charged ions and the electron energy distribution
乙醚团簇在纳秒激光场中的多价电离及其电子能量分布的研究
2.
A serial of detailed experiments were carried out,which mainly discussed how the experiment parameters,such as RF pow- er,flux of dilution gas and pressure,influence electron energy state,and how electron energy state influence the residual stress of silicon nitride films on silicon substrate.
研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。
3.
At last some important properties connected with Z~* are demonstrated(such as electron energy,ionization energy,electronegativity value).
最后,还讨论了与Z*相关的一些原子结构参数(如电子能量、电离势和电负性等)。
5) electronic energy
电子能量
1.
Influence of layers mutual effect and radius on electronic energy of spherical nanometric system;
层间作用和线度对球状纳米系统电子能量的影响
2.
The influence of the layer-to-layer interaction energy on the electronic energy in HgS/CdS/HgS columnar nanometer system;
层间作用对HgS/CdS/HgS柱状纳米系统电子能量的影响
6) electrothermic power meter
电热能量表
补充资料：热电子（hotelectron）
热电子（hotelectron）
半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条