1) indium sealing
铟封接
2) indium seal
铟封
1.
Spectral response characteristics of transmission-mode GaAs photocathode after high-temperature activation,low-temperature activation and indium sealed into intensifier are measured by use of the homemade prototype of spectral response measurement instrument.
利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。
4) indium seal technique
铟封工艺
5) Transfer indium seal
传递铟封
6) dual-In sealing
双冷铟封
补充资料：多层封接法
分子式：
CAS号：
性质：俗称多层封接法。是一种常见的陶瓷-金属封接法。其工艺过程是在陶瓷表面上（欲封接部位）涂上一层金属粉膏（如钼、钼铁、钼锰或钼锰加氧化物等）经通氢炉烧结，使陶瓷体表面金属化，其上再电镀一层镍称为二次金属化。最后用银或银铜焊料连同金属件和金属化后的陶瓷件组装在一起在氢气炉中钎焊，便可获得陶瓷和金属封结件。该法封接强度高，气密性好，可连续大量生产。
CAS号：
性质：俗称多层封接法。是一种常见的陶瓷-金属封接法。其工艺过程是在陶瓷表面上（欲封接部位）涂上一层金属粉膏（如钼、钼铁、钼锰或钼锰加氧化物等）经通氢炉烧结，使陶瓷体表面金属化，其上再电镀一层镍称为二次金属化。最后用银或银铜焊料连同金属件和金属化后的陶瓷件组装在一起在氢气炉中钎焊，便可获得陶瓷和金属封结件。该法封接强度高，气密性好，可连续大量生产。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条