1) Er3+ emission
Er离子发光
2) Er ions
Er离子
1.
Er ions were implanted into semiconductors InP, GaAs and Si with the dosages as high as 7×10~(14) Er/cm~2 at 150keV and 1×10~(15) Er/cm~2 at 350keV, respectively.
分别在InP、GaAs和Si中以7×10~(14)和1×10~(15)cm~(-2)的剂量进行Er离子注入,并采用闭管、快速和炉退火等热处理。
4) rare earth ions of Er3+ and Yb3+
Er离子和Yb离子
5) ionoluminescence
[,aiənəlu:mi'nesns]
离子发光
6) Er ion implanted Si
Er离子注入硅
补充资料：场致发光材料(见电致发光材料)
场致发光材料(见电致发光材料)
electroluminescent material
见场致发光材料eleetrolumineseent material 电致发光材料。
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参考词条