补充资料：化合物半导体太阳能电池

化合物半导体太阳能电池
compound solar cell

huohewu bondoot一tolyongneng dloneh-化合物半导体太阳能电池(eompound solarcell)以化合物半导体为基体制成的太阳能电池。在种类繁多的化合物半导体材料中.不乏兼备优良光电特性、高稳定性、宜于加工制造的太阳能电池材料.化合物可构成同质结太阳能电池、异质结太阳能电池和肖特基结太阳能电池。它既可制成高效或超高效太阳能电池，又可制成低成本大面积薄膜太阳能电池.从而拓宽了光电材料的研究范围.也极大地丰富了太阳能电池家族。目前，世界上光电转换效率最高的是化合物半导体太阳能电池(如砷化稼太阳能电池效率甲-24写一28%)，或者是以化合物作为重要组分的太阳能电池(如砷化稼和硅叠合聚光太阳能电池效率甲-32%一37写，薄膜硒锢铜/非晶硅太阳能电池效率7一14%一17%)。 在元素周期表中的一v族化合物半导体，如砷化稼(GaAs)、磷化锢(InP);I一”族化合物半导体.如硫化福(CdS)、硒化锅(Cdse)、啼化福(CdTe)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(Znse)、啼化锌(ZnTe)等，都具有直接禁带跃迁的能带结构，吸收系数大，结构比较稳定。若用卜.族元素取代卜VI族化合物中的I族元素，则得到I一I一切族三元化合物，如硒锢钢(Culnse)、硫锢铜(CulnS)等。对应地.用I一份族元素代替，一v族化合物中的.族元素，则构成卜Iv一v族三元化合物，如锌硅砷(Z nsiAsZ)等。从中可以挑选禁带宽度适合于吸收不同波长的太阳光、且可制成低电阻p型或n型基体的化合物半导体来制造太阳能电池。 具有代表性的化合物半导体太阳能电池有砷化稼太阳能电池、硫化福太阳能电池和硒锢钢太阳能电他。 砷化稼太阳能电池一v族化合物太阳能电他，其主要特点是: (1)GaAs的禁带宽度达1.43 eV，能有效地吸收太阳光，其理论效率达28%。 (2)GaAs是直接禁带跃迁材料，吸收系数大。吸收90%的太阳能只需5拼m厚的GaAs.而硅则需厚为l。。拌m以上才能吸收同样多的太阳能。 (3)耐商温，耐辐射，适宜于做聚光太阳能电池(聚光比可以高达1000~1735倍)，也适宜于做太空飞行器上用的太阳能电池。 砷化稼太阳能电池的主要缺点是:价格昂贵，功率/重t比小，表面复合速度大等。 自1956年砷化稼太阳能电池问世以来，已制成pn结GaAs同质结太阳能电池和GaAIAs/GaAs异质面太阳能电池等。砷化稼还可以分别与元素半导体、其他化合物构成许多异质结构的多晶薄膜GaAs太阳能电池.砷化稼太阳能电池的结构类同于硅太阳能电池，开路电压为0.88~1.OV，短路电流密度稍低，一般为20~30 mA/em，。 硫化锅太阳能电池是最先问世的卜VI族化合物太阳能电池。

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