1) Quantum Hall effect
量子霍耳效应
1.
This paper , tells about the experiments systematically beginning from the discovery of Hall effect by Hall , to the present Quantum Hall effect and Fraction Quantum Hall effect.
本文从霍耳发现霍耳效应开始,直到现在的量子霍耳效应和分数量子霍耳效应,较系统地讲述了这个实验。
2.
The article has derived quantum Hall conductivity from liner response theory Ku bo′s fomula by means of canonical ensemble statistic average and has explained quantum Hall effect.
从而解释了整数量子霍耳效应。
2) Fraction Quantum Hall effect
分数量子霍耳效应
1.
This paper , tells about the experiments systematically beginning from the discovery of Hall effect by Hall , to the present Quantum Hall effect and Fraction Quantum Hall effect.
本文从霍耳发现霍耳效应开始,直到现在的量子霍耳效应和分数量子霍耳效应,较系统地讲述了这个实验。
4) hall effect
霍耳效应
1.
The WO3 based gas sensor is based on hall effect.
利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器。
2.
This paper analyzes the reason that Hall instrument is burned out when put in magnetic field,points out the defects of experiment device of TH Hall effect,and designs limiting circuit for protection.
分析了置于磁场中霍耳片电阻增大和易被烧坏的原因,指出TH型霍耳效应实验仪存在的缺陷,并通过设计一条限流电路的方法,起到对霍耳片的保护作用,提高了实验可靠性。
5) giant Hall effect
巨霍耳效应
1.
The microstructure and tunneling magneto-resistance(TMR) as well as the giant Hall effect(GHE) were systematically investigated.
系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE)。
6) photo-Hall effect
光霍耳效应
补充资料：整数量子霍尔效应（integerquantumHalleffect）
整数量子霍尔效应（integerquantumHalleffect）
二维电子气系统在强磁和低温条件下的霍尔效应表现出明显的量子化性质。1980年冯克利青（VonKlitzing）等人首先观测到了量子化霍尔效应。他们测量了SiMOSFET反型层中二维电子气系统中的电子在15T强磁场和低于液He温度下的霍尔电压VH，沿电流方向的电势差VP与栅压VG的关系。当磁场垂直于反型层，磁感应强度B与沿反型层流动的电流强度I保持不变时，改变栅压VG，可改变反型层中载流子密度ns。在正常的霍尔效应中应有VH∝1/VG（如果ns∝VG），但在强磁和低温下，某些VG间隔内，VH曲线出现平台，对应于平台时的VP最小趋近于零，由此得到的霍尔电阻ρXY=-VH/I是量子化的，其值为
`\rho_{XY}=\frac{h}{iq^2},i=1,2,3,\ldots`
它只与物理常数h（普朗克常数）和q有关。霍尔电阻与整数i相联系的量子化性质称整数量子霍尔效应。在1K以下，实验还进一步观察到i为分数的霍尔平台，即分数量子化霍尔效应。在调制掺杂的GaAs-GaAlAs等异质结构中也能观测到量子化霍尔效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条