1) overlapping crystal
晶体叠栅
2) crystal lattice
晶体光栅
3) superposed volume gratings
重叠体光栅
1.
Aiming at the problem that there is no comprehensive model of coherent beam combining through superposed volume gratings, we establish a comprehensive model for two-beams combining and its analytic formula is derived using coupled wave theory.
目前基于重叠体光栅的相干组束系统还没有完整的理论模型和参数分析,针对这个问题,本文采用耦合波理论,建立了比较完整的基于重叠体光栅的双光束组束模型,给出了各光束在重叠体光栅内传播的解析解。
4) crystal overlapping
晶体叠合
5) photogate transistor
光栅晶体管
1.
Transient model and analysis of bipolar junction photogate transistor used in CMOS imagers;
双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文)
6) GAT
[英][gæt] [美][gæt]
联栅晶体管
补充资料：隔离栅晶体管
一种功率场效应晶体管与双极型功率晶体管的复合器件。又称电导调制场效应晶体管(即COMFET)。图1是其等效图和电路符号。IGT是功率集成器件,元件内含IGT单元数百至数千个,集成密度及制作难度在功率场效应晶体管(功率MOSFET)与双极型功率晶体管(GTR)之间。
IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示，IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此,IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点：电压型驱动,导通电流密度大，饱和压降低,耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平，其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中,IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。
IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示，IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此,IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点：电压型驱动,导通电流密度大，饱和压降低,耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平，其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中,IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条