1) microstrip photoconductive switch
微带光导开关
1.
The designning of structure for microstrip photoconductive switch with high efficiency is discussed in this paper.
本文讨论了一种高效率微带光导开关电路的结构设计，分析了结构参数及不同光导材料对开关性能的影响，并给出了实验结
2) photoconductive switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive switches in UWB and THz;
光导开关在UWB和THz技术中的应用
2.
Study of photoconductive switches transmission line based on D Alembert s method;
基于达朗伯行波法的光导开关传输线研究
3.
The response properties of linear mode output ultra-short electric pulse are tested using the semi-insulating GaAs photoconductive switches triggered by 1064 nm laser pulse;and the tested experimental results are analyzed theoretically.
用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析。
3) PCSS
光导开关
1.
High-power Radiation System with PCSS Acting as the Photoconductive Switch and a Scanning-back Charging Transformer;
用回扫变压器赋能的光导开关功率辐射系统
2.
Analysis on Performance of PCSS Triggered by Femto-Second Laser Pulse by Position;
GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析
3.
Ⅲ-Ⅴcompound semiconductors,such as Gallium arsenide (GaAs),Indium phosphide (InP) and their doped materials,are suitable to make high speed and high power PCSS with picosecond (ps) time response.
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性。
4) photoconductive semiconductor switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive semiconductor switches in ultra-wideband radars;
光导开关在超宽带雷达中的应用
2.
High-power photoconductive semiconductor switches (PCSS) were fabricated on 0.
0×10~8Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关。
3.
A new analytical model for photoconductive semiconductor switches (PCSS) is proposed considering the surface and bulk recombinations, the carrier carrier scattering and the negative differential effect of the carrier drift velocity in their transport process, Dembet effect, optical reflection and attenuation with depth during the optical action.
建立了一个新型的光控光导半导体开关 (简称光导开关 )解析模型 ,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程 ,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和光的反射、光强随深度的衰减效应。
5) photoconductive switch
光导开关
1.
The transient behavior of high—voltage photoconductive switch;
高压PS光导开关的瞬时特性
2.
The authors introduce the operation principle of the high speed photoconductive switch (ps) and its application in the microwave technique, and give its experimental results in PS.
本文介绍了超快光导开关的工作原理及其在微波中的应用,并给出了实验结果。
3.
A concept of generation of Kilovolt nanosecond pulses was experimentlly verified using a three- in- one GaAs wafer, which serves the functions of laser- cavity mirror,photoconductive switch and energy storage capacitor.
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。
6) Photoconductive semiconductor switch
光导开关
1.
50kV semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switch
50kV半绝缘GaAs光导开关
2.
Photoconductive semiconductor switches(PCSS) have been used in pulsed power technology due to their advantages over conventional switches,such as fast rise time,negligible time jitter,and optical electrical isolation.
概述了GaAs光导开关的发展历史,通过对GaAs和SiC进行比较指出,SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。
3.
A high-power electromagnetic pulse synthesized photoconductive semiconductor switch (PCSS), time-domain ultra-wideband antennas and spatial power combining technology is studied in detail.
本文结合了光导开关、时域超宽带天线和空间功率合成技术,对高功率电磁脉冲辐射进行了较为深入系统的研究。
补充资料：微带线和类微带线
适合制作微波集成电路的平面结构传输线，有微带线、共面线、槽线和鳍状线等多种形式（图1），应用最广的是微带线。微带线与金属波导相比，它的优点是体积小、重量轻、使用频带宽、可靠性高和制造成本低等；缺点是损耗稍大，功率容量小。
传统的微波传输线是同轴线和金属波导。随着微波频率的不断提高和微波设备的小型化，传输线的结构日益增多。60年代前期，由于微波低损耗介质材料和微波半导体器件的发展，形成了微波集成电路，使微带线得到广泛应用，相继出现了各种类型的微带线。
微带线和类微带线一般用薄膜工艺制造。介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料，如氧化铝陶瓷、石榴石铁氧体和石英等。导体还应具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。
微带线 含有空气和基片的混合介质传输线。在较低的微波频率上，它的最低模式的纵向场分量很小，因此可近似为TEM模传输线，称为准TEM模（图2）。对于较高的微波频率,则必须考虑混合模的色散特性和高次模的影响。
微带线的主要特性参量有特性阻抗、等效介电常数和衰减常数。特性阻抗 ,式中 C1＝εeffC,是微带线中在传输方向上单位长度内的电容量；C是相同尺寸，但没有基片的空气微带的单位长度电容量；是电磁波在微带中传输的速度;vc是空气中的光速；εeff称为等效介电常数。
衰减常数表示微带的损耗，包括导体损耗、介质损耗和辐射损耗。导体损耗比介质损耗大，它与导带的材料、尺寸和表面光洁度等有关。介质损耗取决于基片的介电常数、损耗角正切以及导带宽度与基片厚度之比(简称微带的宽高比)。辐射损耗也取决于基片的介电常数和微带的宽高比。微带线的任何不连续性，尤其是开路端和弯曲都将使辐射增加。把微带置于金属封闭壳内的屏蔽微带线可避免电磁能辐射。
随着微波频率的提高,用准TEM模方法计算微带线参量的误差逐渐增大，必须采用同时考虑TM模和TE模的混合模分析方法。混合模具有色散特性。
微带线在毫米波频率容易发生高次模。开式微带线的高次模由离散模谱和连续模谱两部分组成，离散模谱属表面波（慢波），连续模谱是快波。屏蔽微带的高次模是离散模谱。
为避免高次模，微带线应选用较低介电常数的介质基片，如石英；或采用悬置微带，在它的基片与接地面之间有空气层相隔，它还可降低损耗。若空气层用低介电常数的材料代替，则称为双层介质微带。
耦合微带线 在同一介质基片上置有两条或多条平行导带并互相耦合的微带线。两条平行导带的耦合微带线可激励两种独立的模式。一对耦合线分别端接等幅反相的电压，叫作奇模激励，此时任何横截面上两导带的电压都等幅反相，所传输的波称为奇模。耦合线分别端接等幅同相的电压，则称偶模激励，此时，任何横截面上两导带的电压都等幅同相，所传输的波称为偶模。奇、偶模的场分布不同（图2）,其参量也不一样。记耦合微带奇、偶模的单位长度电容量为C0(εr)和Cθ(εr),当用空气代替基片时,其值为C0(1)和Cθ(1),且耦合微带的奇、偶模等效介电常数为
εeff,0＝C0(εr)/C0(1)
εeff,θ＝Cθ(εr)/C0(1)
则奇模和偶模的相速度为
奇模和偶模的特性阻抗为
Z0,o＝1/vp,oC0(εr)
Z0,θ＝1/vp,θCθ(εr)
由于奇模激励时电场分布在介质和空气中的比例小于偶模激励,使εeff,0＜εeff,θ,因此vp,o＞vp,θ,Z0,o＜Z0,θ两导带相距越近，则耦合越强，奇、偶模的特性阻抗相差也越大，反之亦然。
除对称平行耦合线外，还有不对称平行耦合和多导带耦合等结构。随着频率的提高，还必须考虑混合模的色散特性和高次模的影响。
共面线 它的中心导带与接地带位于介质基片的同一侧，这种结构容易同各种元件、器件并联而无需像微带那样在基片上钻孔安装。共面线存在磁场的椭圆极化区，适宜制作铁氧体非互易器件，这时需要引入等效磁导率μeff。共面线的特性参量也有混合模和准 TEM模两种分析方法。共面线的损耗稍大于微带线。减小中心导带宽度与两接地带间距的比值，可以避免电流在导带边缘的过分集中，从而降低导体损耗。然而为减小辐射损耗，接地带的间距又必须远小于共面线的波导波长。
槽线 与微带线呈互补结构，其介质基片仅一侧敷有导电层，并刻有一条窄槽。槽线的电磁场集中在槽的附近，电场横跨于槽上，磁场垂直于槽所在的平面。它也存在磁场的椭圆极化区，与共面线有类似的特点。槽线、共面线均可与微带线结合使用，制成各种微波电路。
槽线只传输混合模，其最低模式类似于矩形波导中的TE10模,但没有截止频率。槽线的特性阻抗为Z0=U2/2P，其中P是传输功率，U是槽间电压。槽缝越宽，则特性阻抗越高。由于制造工艺的限制，槽线只适宜制成高阻抗线，而微带则宜制成低阻抗线。槽线的特性阻抗随频率的变化比微带大，损耗也略大于微带。槽线的等效介电常数随频率提高而增大，但稍低于微带。
鳍状线 由平面集成电路与矩形金属波导结合而成的毫米波集成传输线。平面集成电路置于矩形波导的 E平面内，也可视为屏蔽槽线或用介质片加载的脊波导。屏蔽外壳选用波段的标准金属波导，介质材料用玻璃纤维强化的聚四氟乙烯薄片。鳍状线按平面电路的形式分为单侧、双侧和对蹠等形式，以单侧鳍状线应用最广。鳍状线的特点是单模频带宽、损耗比微带小，以及装配半导体元件和器件较方便等。鳍状线中也只能传输混合模，其最低模式也类似于矩形金属波导中的 TE10模。它与槽线不同之处是电磁场分布在波导中，而不是聚集在槽的附近。鳍状线的特性阻抗在槽宽与波导高度相等时最大，相当于介质片加载的波导。阻抗随槽宽减小而下降，最小阻抗受制造工艺限制。鳍状线的导波长一般大于自由空间波长，但当槽宽远小于波导高度时却小于自由空间波长。鳍状线广泛用于20吉赫以上的毫米波频率。
参考书目
L.Young and H.Sobol, Advances in Microwaves,Vol. 8,Academic Press,New York,1974.
传统的微波传输线是同轴线和金属波导。随着微波频率的不断提高和微波设备的小型化，传输线的结构日益增多。60年代前期，由于微波低损耗介质材料和微波半导体器件的发展，形成了微波集成电路，使微带线得到广泛应用，相继出现了各种类型的微带线。
微带线和类微带线一般用薄膜工艺制造。介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料，如氧化铝陶瓷、石榴石铁氧体和石英等。导体还应具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。
微带线 含有空气和基片的混合介质传输线。在较低的微波频率上，它的最低模式的纵向场分量很小，因此可近似为TEM模传输线，称为准TEM模（图2）。对于较高的微波频率,则必须考虑混合模的色散特性和高次模的影响。
微带线的主要特性参量有特性阻抗、等效介电常数和衰减常数。特性阻抗 ,式中 C1＝εeffC,是微带线中在传输方向上单位长度内的电容量；C是相同尺寸，但没有基片的空气微带的单位长度电容量；是电磁波在微带中传输的速度;vc是空气中的光速；εeff称为等效介电常数。
衰减常数表示微带的损耗，包括导体损耗、介质损耗和辐射损耗。导体损耗比介质损耗大，它与导带的材料、尺寸和表面光洁度等有关。介质损耗取决于基片的介电常数、损耗角正切以及导带宽度与基片厚度之比(简称微带的宽高比)。辐射损耗也取决于基片的介电常数和微带的宽高比。微带线的任何不连续性，尤其是开路端和弯曲都将使辐射增加。把微带置于金属封闭壳内的屏蔽微带线可避免电磁能辐射。
随着微波频率的提高,用准TEM模方法计算微带线参量的误差逐渐增大，必须采用同时考虑TM模和TE模的混合模分析方法。混合模具有色散特性。
微带线在毫米波频率容易发生高次模。开式微带线的高次模由离散模谱和连续模谱两部分组成，离散模谱属表面波（慢波），连续模谱是快波。屏蔽微带的高次模是离散模谱。
为避免高次模，微带线应选用较低介电常数的介质基片，如石英；或采用悬置微带，在它的基片与接地面之间有空气层相隔，它还可降低损耗。若空气层用低介电常数的材料代替，则称为双层介质微带。
耦合微带线 在同一介质基片上置有两条或多条平行导带并互相耦合的微带线。两条平行导带的耦合微带线可激励两种独立的模式。一对耦合线分别端接等幅反相的电压，叫作奇模激励，此时任何横截面上两导带的电压都等幅反相，所传输的波称为奇模。耦合线分别端接等幅同相的电压，则称偶模激励，此时，任何横截面上两导带的电压都等幅同相，所传输的波称为偶模。奇、偶模的场分布不同（图2）,其参量也不一样。记耦合微带奇、偶模的单位长度电容量为C0(εr)和Cθ(εr),当用空气代替基片时,其值为C0(1)和Cθ(1),且耦合微带的奇、偶模等效介电常数为
εeff,0＝C0(εr)/C0(1)
εeff,θ＝Cθ(εr)/C0(1)
则奇模和偶模的相速度为
奇模和偶模的特性阻抗为
Z0,o＝1/vp,oC0(εr)
Z0,θ＝1/vp,θCθ(εr)
由于奇模激励时电场分布在介质和空气中的比例小于偶模激励,使εeff,0＜εeff,θ,因此vp,o＞vp,θ,Z0,o＜Z0,θ两导带相距越近，则耦合越强，奇、偶模的特性阻抗相差也越大，反之亦然。
除对称平行耦合线外，还有不对称平行耦合和多导带耦合等结构。随着频率的提高，还必须考虑混合模的色散特性和高次模的影响。
共面线 它的中心导带与接地带位于介质基片的同一侧，这种结构容易同各种元件、器件并联而无需像微带那样在基片上钻孔安装。共面线存在磁场的椭圆极化区，适宜制作铁氧体非互易器件，这时需要引入等效磁导率μeff。共面线的特性参量也有混合模和准 TEM模两种分析方法。共面线的损耗稍大于微带线。减小中心导带宽度与两接地带间距的比值，可以避免电流在导带边缘的过分集中，从而降低导体损耗。然而为减小辐射损耗，接地带的间距又必须远小于共面线的波导波长。
槽线 与微带线呈互补结构，其介质基片仅一侧敷有导电层，并刻有一条窄槽。槽线的电磁场集中在槽的附近，电场横跨于槽上，磁场垂直于槽所在的平面。它也存在磁场的椭圆极化区，与共面线有类似的特点。槽线、共面线均可与微带线结合使用，制成各种微波电路。
槽线只传输混合模，其最低模式类似于矩形波导中的TE10模,但没有截止频率。槽线的特性阻抗为Z0=U2/2P，其中P是传输功率，U是槽间电压。槽缝越宽，则特性阻抗越高。由于制造工艺的限制，槽线只适宜制成高阻抗线，而微带则宜制成低阻抗线。槽线的特性阻抗随频率的变化比微带大，损耗也略大于微带。槽线的等效介电常数随频率提高而增大，但稍低于微带。
鳍状线 由平面集成电路与矩形金属波导结合而成的毫米波集成传输线。平面集成电路置于矩形波导的 E平面内，也可视为屏蔽槽线或用介质片加载的脊波导。屏蔽外壳选用波段的标准金属波导，介质材料用玻璃纤维强化的聚四氟乙烯薄片。鳍状线按平面电路的形式分为单侧、双侧和对蹠等形式，以单侧鳍状线应用最广。鳍状线的特点是单模频带宽、损耗比微带小，以及装配半导体元件和器件较方便等。鳍状线中也只能传输混合模，其最低模式也类似于矩形金属波导中的 TE10模。它与槽线不同之处是电磁场分布在波导中，而不是聚集在槽的附近。鳍状线的特性阻抗在槽宽与波导高度相等时最大，相当于介质片加载的波导。阻抗随槽宽减小而下降，最小阻抗受制造工艺限制。鳍状线的导波长一般大于自由空间波长，但当槽宽远小于波导高度时却小于自由空间波长。鳍状线广泛用于20吉赫以上的毫米波频率。
参考书目
L.Young and H.Sobol, Advances in Microwaves,Vol. 8,Academic Press,New York,1974.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条