1) Parasitic resistance & capacitance
寄生电阻电容
2) PRC Modeling
寄生电阻电容建模
3) parasitic capacitance
寄生电容
1.
Application of fast multiresolution in 2 D parasitic capacitance extraction;
快速多分辨率方法在二维寄生电容提取中的应用
2.
Analysis of parasitic capacitance of high speed ridge waveguide laser;
高速脊波导激光器寄生电容的分析
3.
This may be caused by many factors,and the parasitic capacitance of IGBT is proved to be the key by the experiment and the analysis.
通过实验和理论分析可以证明,其主要起因是IGBT的寄生电容。
4) parasitic capacitor
寄生电容
1.
By using the character of parasitic capacitor,the charge transfer can elevate the rectifying efficiency,shorten the rising time and minimize the ripple factor to a degree.
该电路利用 MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运 ,有效地提高了半波整流电路的整流效率 ,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数 ,从而以较简单的电路形式改善了半波整流电路的性能 。
5) parasitical capacitance
寄生电容
1.
Effects of different metal interconnect parameters on the parasitical capacitance were analyzed with a multilevel metal capacitance model,and RC interconnect delay in VDSM circuit was estimated with a closed-form formula.
利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计。
2.
The parasitical capacitances of power devices greatly influence the power dissipation and performance of driver ICs for flat panel display.
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能。
3.
In this paper,the parasitical capacitance affected by the defects in the IC manufacturing among interconnections is analyzed and the model of the parasitical capacitance is given.
文中分析了集成电路制造过程中的工艺缺陷对互连线间寄生电容的影响,给出了考虑缺陷等因素的线间寄生电容模型。
补充资料：可计算电容法绝对测定电容和电阻单位
可计算电容法绝对测定电容和电阻单位
determination of SI units of capacitance and resistance based on calculable capacitor method
式中c0二(。。‘l动InZ为一常数，。r为介质的相对介电常数，。。为真空介电常数，C;、矶又称交叉电容。图1任意形状导电柱的截面当c:一。时，上式可简化为“=专(c，+。)二c0[l·罕(瓮)2一罕‘箫)4·幂‘瓮，‘一“式中△C二C:一Q。当长度为L时，总电容最为 C二cL 0 c0L根据光速。二2卯7兑.458 kn甘。计算，常数C0二1.姑3 549以3 PFlm。 可计算电容的结构是用4根几乎相碰又彼此绝缘的金属圆柱组成一组电容，其外围包有一个接地屏蔽E。计算电容的横截面(图2)，中间插人可动屏蔽电极，电极的位移用光学系统来测量。整个系统在真空中进行侧t。图2可计算电容的横截面 美国国家标准局研制的可计算电容的不确定度约为lxlo一;日本的约为2.5x10一7冲国的约为3.5x10一’，后经改进为l.oxlo一7(包含因子k=l)。 可计算电容绝对测量电阻的原理方框图见图3o所用计算电容为。.5pF(或l夕)，首先在电容电桥上用1:2、l:ro的比率作4次或5次测量，以确定0.01口标准电容器的电容值。在电容电阻桥上用1:1的比率侧出1了n的交流标准电阻的电阻值。然后利用交流电阻电桥给出l护O或l护n的交流标准电阻的电阻值，并与一个特制的1护n或1护n的交直流转换电阻进行比较，以确定其交直流转换误差。直流测量过程在直流电桥上进行，将已确定交直流转换误差的1护n或l口n的交流标准电阻与国家电阻基准(In)进行比较。 目前用可计算电容法绝对测量电阻的不确定度已keiisuan dianrongfa luedui Ceding dian『以习he dianzudan勺切81可计算电容法绝对测定电容和电阻单位(ds-te们rrunation of 51 units of ca侧加i切叮ce and邢isteLnce场既don以c吐ab】e caPacifor meth记)可计算电容是横截面的尺寸无需测量，而只裕测定轴向长度即能确定电容大小的特殊电容器，它能被准确地测量，因而通过它可以确定电容和电阻单位的sI量值，也称作可计算电容法绝对测量电容和电阻单位。 可计算电容是基于1956年澳大利亚的A.M.汤普森和D.G.兰帕德证明的静电学新定理。
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参考词条