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1)  accumulated layer
表面积累层
1.
By using quantitative mobility spectrum analysis technique, the density and mobility for each subband of the accumulated layer on the nHgCdTe devices were determined from fielddependent Hall and resistivity data.
利用定量迁移率谱技术,通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了n-HgCdTe光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率,结果与Shubnikov-deHass实验和理论计算的结果非常吻合。
2)  surface electron accumulation
表面电子积累
3)  superficial stratum
表面层;冲积层
4)  seismic withstand factor(surface acceleration)
地震承受系数(表面积累)
5)  accumulative cost resistance surface
累积耗费阻力表面
6)  cumulative chart
累积图表
补充资料:积累层
分子式:
CAS号:

性质: 当多数载流子从表面注入半导体,且这些额外的多数载流子充当空间电荷时,形成积累层。

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