1) accumulated layer
表面积累层
1.
By using quantitative mobility spectrum analysis technique, the density and mobility for each subband of the accumulated layer on the nHgCdTe devices were determined from fielddependent Hall and resistivity data.
利用定量迁移率谱技术,通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了n-HgCdTe光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率,结果与Shubnikov-deHass实验和理论计算的结果非常吻合。
2) surface electron accumulation
表面电子积累
3) superficial stratum
表面层;冲积层
4) seismic withstand factor(surface acceleration)
地震承受系数(表面积累)
5) accumulative cost resistance surface
累积耗费阻力表面
6) cumulative chart
累积图表
补充资料:积累层
分子式:
CAS号:
性质: 当多数载流子从表面注入半导体,且这些额外的多数载流子充当空间电荷时,形成积累层。
CAS号:
性质: 当多数载流子从表面注入半导体,且这些额外的多数载流子充当空间电荷时,形成积累层。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条