电荷不变性,conservation of charge,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) conservation of charge

电荷不变性

2) electric charge

电荷

The relativity effect of interaction between moving electric charges;

运动电荷相互作用的相对论效应

The effect of ampherlytic starch on tearing strength of newsprint from analysis of electric charge was studied.

本文从电荷分析研究了两性淀粉对新闻纸撕裂度的影响。

CONCLUSION:There is an electric charge change during sonicating albumin.

结论 :5 %声振人血白蛋白微球制剂声振过程仅产生白蛋白表面电荷数的改变 ,未见其它变化。

3) charge

电荷

Calculation of charge distributions and chemical shift in carcinogenic reaction;

致癌性胺离子反应过程中电荷和化学位移的计算

Preparation of paclitaxel-loaded chitosan polymeric micelles and influence of surface charges on their tissue biodistribution in mice;

紫杉醇壳聚糖聚合物胶束的制备及表面电荷对其在小鼠体内组织分布的影响

Model of electrochemical reaction charge transferring on surface of mineral grain and its flotation significance;

颗粒表面电化学反应电荷传递模型及其浮选意义

4) Electric charges

电荷

This paper discusses the potential difference between the plates of parallel plate capacitor which is changed as the electric charges changed on inner surface,and shows that the eletric capacity of the capacitor remains unchanged wherever the capacitor is situated in the electric fields or however one of the plate is conected with the eart

本文讨论了平行板电容器处在不同的外场中,平行板电容器两板之间的电位差与极板内表面上的电荷成比例地改变时,电容器的电容保持不变。

5) Charge transfer

电荷转移

Determination of Phosphate by Charge Transfer Spectrophotometry;

磷酸盐的电荷转移反应分光光度法测定

Charge Transfer Induced Surface-Enhanced Raman Scattering in Silver Colloid;

银溶胶中电荷转移诱导的表面增强拉曼光谱研究

Based on the semiclassical model of the charge transfer,electric charge transfer constants of the tr.

根据电子转移的半经典模型计算了苯并菲及氟和羟基取代苯并菲化合物分子的电荷转移常数,氟和羟基的引入使正电荷转移速率常数明显减小,即不利于正电荷的传输,对负电荷的传输速率常数影响不大。

6) electrostatic charge

静电荷

The configuration and quantum chemistry parameters of quinclorac esters such as,△E(E_(LUMO)-E_(HOMO)),heat of formation(HF),electrostatic charges of active point were cal- culated using quantum chemistry program.

利用量子化学程序计算了12个氯喹酸酯化合物的量子化学参数(如:最高占据轨道能级、最低空轨道能级、生成热、偶极矩、活性部位原子静电荷等),并对玉米根抑制活性进行了定量结构-活性相关(QSARs)分析,其中最低空轨道能级、羰基氧原子静电荷参数共同构建的多元高阶模型准确性最高(R=0。

Experiments were performed in a gas-solid fluidized bed to determine the changes in the electrostatic charges with addition of various fine polyethylene particles,which were the same material as the coarse polyethylene particles,to better understand their role in influencing electros.

有研究[6-8]表明,加入细粉可以起到减少流化床中静电荷积累量的效果,但却仅对与流化床中的主体大颗粒类型不同的细粉进行了考察。

The configuration and quantum chemistry parameters of quinclorac esters,such as ΔΕ(ELUMO-EHOMO),heat of formation(EHF),dipole moment,electrostatic charges of active point were calculated using quantum chemistry program.

利用量子化学程序计算了12个氯喹酸酯化合物的量子化学参数,如最高占据轨道能级、最低空轨道能级、生成热、偶极矩、活性部位原子静电荷等,并对玉米根抑制活性进行了定量结构-活性相关(QSARs)分析,其中最低空轨道能级、前线轨道能级差、偶极矩、原子静电荷4类参数共同构建的模型准确性最高(R=0。

参考词条

电荷密度电荷有序表面电荷有效电荷电荷传输电荷传导电荷跃迁空间电荷电荷特性电荷补偿电荷输送财政管理体制古典所有制形式

补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) conservation of charge 电荷不变性 2) electric charge 电荷 1. The relativity effect of interaction between moving electric charges; 运动电荷相互作用的相对论效应 2. The effect of ampherlytic starch on tearing strength of newsprint from analysis of electric charge was studied. 本文从电荷分析研究了两性淀粉对新闻纸撕裂度的影响。 3. CONCLUSION:There is an electric charge change during sonicating albumin. 结论 :5 %声振人血白蛋白微球制剂声振过程仅产生白蛋白表面电荷数的改变 ,未见其它变化。 3) charge 电荷 1. Calculation of charge distributions and chemical shift in carcinogenic reaction; 致癌性胺离子反应过程中电荷和化学位移的计算 2. Preparation of paclitaxel-loaded chitosan polymeric micelles and influence of surface charges on their tissue biodistribution in mice; 紫杉醇壳聚糖聚合物胶束的制备及表面电荷对其在小鼠体内组织分布的影响 3. Model of electrochemical reaction charge transferring on surface of mineral grain and its flotation significance; 颗粒表面电化学反应电荷传递模型及其浮选意义 4) Electric charges 电荷 1. This paper discusses the potential difference between the plates of parallel plate capacitor which is changed as the electric charges changed on inner surface,and shows that the eletric capacity of the capacitor remains unchanged wherever the capacitor is situated in the electric fields or however one of the plate is conected with the eart 本文讨论了平行板电容器处在不同的外场中,平行板电容器两板之间的电位差与极板内表面上的电荷成比例地改变时,电容器的电容保持不变。 5) Charge transfer 电荷转移 1. Determination of Phosphate by Charge Transfer Spectrophotometry; 磷酸盐的电荷转移反应分光光度法测定 2. Charge Transfer Induced Surface-Enhanced Raman Scattering in Silver Colloid; 银溶胶中电荷转移诱导的表面增强拉曼光谱研究 3. Based on the semiclassical model of the charge transfer,electric charge transfer constants of the tr. 根据电子转移的半经典模型计算了苯并菲及氟和羟基取代苯并菲化合物分子的电荷转移常数,氟和羟基的引入使正电荷转移速率常数明显减小,即不利于正电荷的传输,对负电荷的传输速率常数影响不大。 6) electrostatic charge 静电荷 1. The configuration and quantum chemistry parameters of quinclorac esters such as,△E(E_(LUMO)-E_(HOMO)),heat of formation(HF),electrostatic charges of active point were cal- culated using quantum chemistry program. 利用量子化学程序计算了12个氯喹酸酯化合物的量子化学参数(如:最高占据轨道能级、最低空轨道能级、生成热、偶极矩、活性部位原子静电荷等),并对玉米根抑制活性进行了定量结构-活性相关(QSARs)分析,其中最低空轨道能级、羰基氧原子静电荷参数共同构建的多元高阶模型准确性最高(R=0。 2. Experiments were performed in a gas-solid fluidized bed to determine the changes in the electrostatic charges with addition of various fine polyethylene particles,which were the same material as the coarse polyethylene particles,to better understand their role in influencing electros. 有研究[6-8]表明,加入细粉可以起到减少流化床中静电荷积累量的效果,但却仅对与流化床中的主体大颗粒类型不同的细粉进行了考察。 3. The configuration and quantum chemistry parameters of quinclorac esters,such as ΔΕ(ELUMO-EHOMO),heat of formation(EHF),dipole moment,electrostatic charges of active point were calculated using quantum chemistry program. 利用量子化学程序计算了12个氯喹酸酯化合物的量子化学参数,如最高占据轨道能级、最低空轨道能级、生成热、偶极矩、活性部位原子静电荷等,并对玉米根抑制活性进行了定量结构-活性相关(QSARs)分析,其中最低空轨道能级、前线轨道能级差、偶极矩、原子静电荷4类参数共同构建的模型准确性最高(R=0。参考词条电荷密度电荷有序表面电荷有效电荷电荷传输电荷传导电荷跃迁空间电荷电荷特性电荷补偿电荷输送财政管理体制古典所有制形式补充资料：半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运 conductance and charge transport in semiconductor 　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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