补充资料：场致发射

场致发射
Field emission

　　其中B是一个与场无关的量纲为A/VZ的常量(A是安培，V是伏特)，沪是功函数，用电子伏特表示，F是所加的场强，用伏/厘米表示。因子尹/，/F正比于费米能级处势垒下面积的平方根。可觉察的发射要求场强为4一7火107伏/厘米，而且还与沪有关。参阅“金属自由电子理论”(free一eleetron theory ofmetals)条。!不l必。咖溜绝对零度时金属场发射能级示意图 尖头金属条容易实现场致发射，而金属条需用加热的办法使其尖头平滑成半球形，用这种方法得到的尖部半径厂，可等于或小于100纳米;由于其很小，发射区一般是一块单晶，如果发射区被一电压为V的半球形正极包围，则发射区的场强F近似为V/5r，。这样，中等电压便可满足发射的要求。电力线从尖端径向发射出去;由于电子轨道开始时沿着这些力线;因此它们也发散，并且用(如)正极粉末屏可以得到发射区表面的高磁场发射图。这就构成了场致发射显微镜、它是由谬勒(E.w.M胡er)于1936年发明的。由于功函数会受到吸收层的影响，发射也要受到影响，因此场致发射显微镜对于研究吸收很有用，尤其是对表面扩散。场致发射广泛应用于高亮度准点电子源的普通或扫描电子显微镜中，因为电子源于发射头中心时会出现发射。 从电极的凸凹不平处到绝缘液体也会发生场致发射，于是造成击穿。强场中孤立的原子分子也会发生场致发射，并称之为场致电离。场致电离构成了场离子显微镜的基础，并且在分析质谱仪中是产生离子的有效方法。强场中半导体的价带到导带也会出现内场致发射，这就是著名的齐纳(Zener)击穿。 仁哥末(R·Gomer)撰〕场致发射(field emiSSion) 在强电场的影响下，金属或半导体中的电子会被发射到真空或介质中去，在场发射中，经隧道通过势垒的电子多于像热发射和光发射那样克服势垒而逃逸的电子。这种隧道效应是纯量子力学的，经典上无此类似。其根源是.在经典的隧道点(在这些地方，电子的总能量小于势能)，电子的波函数不等于零，而进人势垒后呈指数衰减。这样，在势垒外便有一定的概率找到电子。此概率像‘妒了2一样变化，其中。是一常量，A是势垒下的面积。参阅“非相对论量子理论，，(nonrelativistie quantum theory)条。 对于低温金属·此过程可借助于图来理解。可以将金属看成是一个势盒子，电子填充到费米能级，它比真空能级低几个电子伏特。

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