1) potential surface
势能表面
2) capillary potential energy
表面张力势能
1.
It shows that the capillary potential energy of the atomization droplets is supplied by the impingement of the gas on the liquid.
通过能量分析的方法考虑喷射雾化问题，认为破碎的液滴存在着表面张力势能，这种势能是由于气流对液体的冲击作用提供的，并由此得到了破碎液滴的最小等效直径的能量判断准则·该判断准则在趋势上与经验公式的符合程度是令人满意
3) surface potential
表面电势
1.
The results show that the magnetite particle's surface potential can increase by adsorbing the polyacrylic,electricity repulsion between the particle hinders the reuniting of the magnetized particle,the anti.
结果表明,磁性颗粒对聚丙烯酸分子的吸附,增加了其表面电势,颗粒之间的静电斥力阻碍了团聚的发生,提高了体系的抗团聚、抗沉降稳定性。
2.
Besides,their surface potential was also evaluated with the electric force .
利用射频溅射法制备了GeSb2Te4薄膜并对其进行热处理,分析热处理前后样品的结晶情况,用纳米硬度计测定硬度,利用静电力显微镜表征样品的表面电势,采用原子力显微镜观察薄膜表面形貌,利用侧向力显微镜对比考察了在考虑相对湿度的情况下,热处理前后GeSb2Te4薄膜的粘附力和摩擦性能。
3.
Objective:To investigate the effect of dry heat antisepsis on charge storage stability of porous polytetrafluoroethylene(PTFE) films by measuring the isothermal surface potential(V S) decay,open-circuit thermally stimulated discharge(TSD), and piezoelectric d 33 coefficient.
目的:通过对表面电势VS 衰减和开路热刺激放电(open circuit thermally stimulated discharge ,TSD)电流以及准静态压电d33系数测量,研究干热消毒对聚四氟乙烯(PTFE)多孔膜电荷储存稳定性的影响。
4) surface barrier
表面势垒
1.
This paper analyses the metal surface barrier and the work function with quantum theory,so that it supplements the defects of the ordinary teaching material about this problem.
本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析，从而弥补了一般大学物理教材中在此问题上的不足之
2.
The value of surface barrier height of nanocrystalline and cast SS304 are 19.
42eV,并通过量子力学理论计算得到块体纳米晶304不锈钢和铸态304不锈钢的表面势垒高度分别为19。
5) surface potential barrier
表面势垒
1.
By calculating the energy distribution of electrons reaching the photocathode surface and solving the Schrdinger equation that describes the behavior of an electron tunneling through the surface potential barrier,we obtain an equation to calculate the emitted electron energy distribution of transmission-mode NEA GaAs photocathodes.
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式。
6) surface potential
表面势
1.
This paper presents a surface-potential-based analytical current and capacitance model of polysilicon thin-film transistors(poly-Si TFTs) for circuit simulation,in which the non-iterative numerical algorithm is adopted to calculate the surface potential of poly-Si TFTs as a function of terminal voltage,thus greatly enhancing the efficiency of the proposed model.
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型。
2.
The analytical models of surface potential and threshold voltage for the fully depleted device are constructed by solving the 2D potential Poisson s equation.
通过求解二维电势Poisson方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型。
3.
An explicit solution to the polysilicon Thin-Film Transistors(poly-Si TFTs) implicit surface potential equation has been derived.
显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。
补充资料：LEP势能面
分子式：
CAS号：
性质：伦敦（London）最早把量子力学的玻恩-奥本海默近似用于化学反应。对X+Y—Z（三原子体系）→X—Y+Z反应，他提出了伦敦方程计算相互作用势能V：V=QXY+QYZ+QZX±{1/2[(JXY—JYZ)2+(JYZ—JZX)2+(JXZ—JXY)2]}=Q±J式中Qij为库伦能（积分）和Jij为交换能（积分）（i，j分别代表X、Y、Z），均为核间距的函数。上式远不能得到合乎要求的结果。艾林和波拉尼提出了一个半经验方法，根据XY、YZ、ZX的光谱数据得到Qij和Jij。如对Ha+HbHc选择QHH=0.14V可得与该反应活化能符合得很好的理论结果，据此方法制得的势能面即LEP势能面。但鞍点区出现一小谷，这是其不足之处。
CAS号：
性质：伦敦（London）最早把量子力学的玻恩-奥本海默近似用于化学反应。对X+Y—Z（三原子体系）→X—Y+Z反应，他提出了伦敦方程计算相互作用势能V：V=QXY+QYZ+QZX±{1/2[(JXY—JYZ)2+(JYZ—JZX)2+(JXZ—JXY)2]}=Q±J式中Qij为库伦能（积分）和Jij为交换能（积分）（i，j分别代表X、Y、Z），均为核间距的函数。上式远不能得到合乎要求的结果。艾林和波拉尼提出了一个半经验方法，根据XY、YZ、ZX的光谱数据得到Qij和Jij。如对Ha+HbHc选择QHH=0.14V可得与该反应活化能符合得很好的理论结果，据此方法制得的势能面即LEP势能面。但鞍点区出现一小谷，这是其不足之处。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条