1) 2 dimension multipul medium
二维复合介质
1.
Based on the Bergman expression, this paper finds a set of basic functions for 2 dimension multipul medium and establish a solving method, which is based on the first principle to calculate 2 dimension multipul medium Laplace eqution, by means of the eigen function extension.
在Bergman表示的基础上 ,对二维复合介质找到一套基函数 ,利用本征函数展开建立了基于第一性原理的计算二维复合介质Laplace方程的求解方法。
2) composite media
复合介质
1.
New mathematical model for transient porous flow in nonlinear composite media;
一种非线性复合介质不定常渗流数学模型
2.
Nonlinear optical properties of insulator inclusions/ liquid host composite media;
绝缘颗粒液体主体基质复合介质的非线性光学性质
3.
The laminated discrete dual medium model of strata movement is established by taking the overburden rockmass as the macro system composite media.
将采场上覆岩体视为大系统复合介质，建立岩层移动的层状－离散二重介质模型。
3) composite dielectrics
复合介质
1.
Study on properties of PTFE/ceramics/glassfibers composite dielectrics;
聚四氟乙烯/陶瓷/玻璃纤维复合介质的性能研究
2.
PTFE-based composite dielectrics whit high strength and low loss are acquired by heat press.
为制备高强度低损耗复合介质，采用热压工艺进行复合介质的成型与烧结，系统地探讨了加热温度、成型压力等工艺参数，对聚四氟乙烯（PTFE）树脂复合陶瓷介质材料微观结构、介电性能与力学性能的影响。
4) composite medium
复合介质
1.
The proportion and volume of the composite medium were studied to find the influence on the size distribution of microspheres during synthesis.
通过悬浮聚合法合成了石蜡聚苯乙烯微球,研究了合成过程中复合介质的配比及用量对微球粒径分布的影响。
2.
The thermal conduction of a composite medium with variable thermal conductivities is discussed.
讨论了可变导热系数的复合介质的传热性质。
3.
This paper is concerned with the behavior of a screw dislocation in a half-plane piezoelectric composite medium.
研究了半平面压电复合介质中螺位错的性能。
5) Complex Medium
复合介质
1.
Regarding cover rock of mine space as huge system complex medium, the layerdiscrete duality medium model is established.
将采场上覆岩体视为大系统复合介质，建立层状－离散二重介质模型。
6) composite dielectric
复合介质
1.
The prime thickness proportion of the composite dielectrics of SiO2 and Si3N4 is acquired by the method of orthogonal test,and the effects of annealing temperature and annealing atmosphere on the interface state of composite dielectric are analyzed.
采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条