1) double diffusion
双扩散
1.
Synthesis of AgCl nanowires by double diffusion in AAO template and the photocatalytical activity of AgCl nanowires;
双扩散AAO模板法制备AgCl纳米线及其光催化性能
2.
A wide range of interesting phenomena such as plume, turbulent entrainment, density flows, oceanic circulation, mixing layer, double diffusion, salt fingering, magma chamber, mantle convection, hot spots are addressed in detail.
详细描述了诸如羽流、湍流、卷挟、异重流、海洋环流、混合层、双扩散、盐指、锋面、岩浆库、地幔对流、板块运动、热斑等有趣的地球物理现象，它们对于了解因浮力引起的对流的机理是十分重要的。
2) double diffusive flow
双扩散流
4) hyperbolic diffusion
双曲扩散
5) Double side diffusion
双面扩散
6) ambipolar diffusion
双极扩散
1.
The ambipolar diffusion coefficient of charged copper species in copper vapor laser is theoretically deduced.
推导了铜蒸气激光器带电粒子的双极扩散系数。
补充资料：双扩散金属-氧化物-半导体集成电路
以双扩散MOS晶体管为基础的电路,简称DMOS。利用两种杂质原子的侧向扩散速度差，形成自对准的亚微米沟道，可以达到很高的工作频率和速度。
图中a是横向DMOS晶体管（简称LDMOS），图b是垂直DMOS晶体管(简称VDMOS)。LDMOS是平面型的，三个电极都由上表面引出，适合于与其他器件集成。源扩散是自对准的，而栅金属层则与漏扩散区离开，以减小输入和反馈电容，并缓和短沟道效应。VDMOS在N+硅衬底上生长一层N-外延层,电子流经沟道后改为垂直方向由衬底流出。因此，漏电极由硅片底面引出，硅片表面只有源电极和栅电极，有利于提高集成度。与普通MOS晶体管相比DMOS在结构上有两个主要区别:一是将P型、N型杂质通过同一氧化层窗口顺次扩散，形成很短的沟道；二是在沟道与漏区之间加入一个轻掺杂的N-漂移区，其掺杂浓度远小于沟道区。这个区承受大部分所加的漏电压，从而使短沟道效应减弱，提高漏击穿电压，从而实现短沟道与高击穿电压结合而得到的一系列优点。
DMOS集成电路的主要优点是击穿电压高和自对准构成微米沟道，而没有严重的短沟道效应。DMOS电路技术与E/D MOS电路(见增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路)相结合,在70年代后期曾受到人们重视，研制出一些高速的大规模集成电路。但是，由于工艺控制上的困难，尚不能形成主要的产品。这种技术对制造高速、高电压集成电路仍有很大潜力，已制造出击穿电压达几百伏的DMOS集成电路。另一方面，DMOS晶体管作为高频大功率器件已取得很大进展。与双极型高频功率管相比，DMOS管有两个重要优点：①利用多数载流子工作，没有少数载流子存储效应，所以速度快；②由于迁移率的负温度系数，电流随温度（一般温度下）上升而下降。因此，热逃逸和二次击穿效应很小。这种器件还可并联得到高输出功率，而不需要有镇流电阻。
图中a是横向DMOS晶体管（简称LDMOS），图b是垂直DMOS晶体管(简称VDMOS)。LDMOS是平面型的，三个电极都由上表面引出，适合于与其他器件集成。源扩散是自对准的，而栅金属层则与漏扩散区离开，以减小输入和反馈电容，并缓和短沟道效应。VDMOS在N+硅衬底上生长一层N-外延层,电子流经沟道后改为垂直方向由衬底流出。因此，漏电极由硅片底面引出，硅片表面只有源电极和栅电极，有利于提高集成度。与普通MOS晶体管相比DMOS在结构上有两个主要区别:一是将P型、N型杂质通过同一氧化层窗口顺次扩散，形成很短的沟道；二是在沟道与漏区之间加入一个轻掺杂的N-漂移区，其掺杂浓度远小于沟道区。这个区承受大部分所加的漏电压，从而使短沟道效应减弱，提高漏击穿电压，从而实现短沟道与高击穿电压结合而得到的一系列优点。
DMOS集成电路的主要优点是击穿电压高和自对准构成微米沟道，而没有严重的短沟道效应。DMOS电路技术与E/D MOS电路(见增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路)相结合,在70年代后期曾受到人们重视，研制出一些高速的大规模集成电路。但是，由于工艺控制上的困难，尚不能形成主要的产品。这种技术对制造高速、高电压集成电路仍有很大潜力，已制造出击穿电压达几百伏的DMOS集成电路。另一方面，DMOS晶体管作为高频大功率器件已取得很大进展。与双极型高频功率管相比，DMOS管有两个重要优点：①利用多数载流子工作，没有少数载流子存储效应，所以速度快；②由于迁移率的负温度系数，电流随温度（一般温度下）上升而下降。因此，热逃逸和二次击穿效应很小。这种器件还可并联得到高输出功率，而不需要有镇流电阻。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条