1) crystal chemistry approac h
晶体化学方法
2) empirical crystal chemistry approach
经验晶体化学方法
1.
The methods or models of the quantitative calculation of thermal expansion coefficient of minerals can be classified into the empirical crystal chemistry approach and the theoretical approach.
热膨胀系数的定量计算可分为经验晶体化学方法和理论计算方法。
3) crystal chemistry
晶体化学
1.
Study of crystal chemistry on azo-hydrazone tautomerism of 2-OH azobenzene;
2-OH偶氮苯中的偶氮-醌腙互变异构的晶体化学研究
2.
The recent development in the preparation,characterization,and crystal chemistry and thermal stability of oxo-vanadium phosphates with open framework is covered in this review.
本文综合评述了孔道结构氧-钒基磷酸盐体系的合成方法、模板与结构导向机理、晶体结构与晶体化学、结构热稳定性等的研究现状,重点讨论了有机模板引导合成的O rgn+-V-P-O相及其模板驱除方法,并提出了存在的问题及今后的研究方向。
3.
Flotation crystal chemistry principles and solution chemistry or physical chemistry principles of silicate minerals are emphatically discussed.
着重论述了硅酸盐矿物浮选的晶体化学原理和硅酸盐矿物浮选的溶液化学和物理化学原理。
4) crystallochemistry
晶体化学
1.
In this paper,the main effect factors of transmission of Dushan white jade are studied more specifically in chemistry compositions,mineral assemblages and features of crystallochemistry and so on,then a brief appraisal of their craft characteristices is given.
从玉石的矿物组合、化学成分和矿物晶体化学特征等方面对影响白独玉透明度的主要因素作了较具体的研究，并对其工艺特征也作了简要的评述。
5) Complete crystallization method from amorphous solids
非晶晶化方法
6) crystallographic method
晶体力学法
1.
The characteristics of two calculating methods which are continuum mechanics of textured polycrystals (CMTP) method and crystallographic method for plastic strain ratio ( r value) in body cubic crystal (BCC) monocrystal were analyzed through comparisons.
经过比较 ,分析了目前广泛使用的体心立方单晶体塑性应变比的两种计算方法连续体力学法和晶体力学方法的特点·并对晶体力学法提出了改进措施 ,即考虑拉伸过程中体心立方晶体 3个滑移系临界分切应力的差别 (3个滑移系临界分切应力τ{ 110 }〈111〉:τ{ 112 }〈111〉:τ{ 12 3 }〈111〉的比值为 1∶1。
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条