1) Schottky vacancies
肖脱基缺陷
2) Shottky effect
肖脱基效应
1.
This thesis discusses the Volt-Amperer characetristics of phototube in the nearby regian of the stopping potential in theory and according to Shottky effect,deduction of the analytic representation of the potential U s.
根据肖脱基效应 ,推导出截止电位的解析表达式 ,采用“解析法”替代原实验的“抬头点法”确定截止电位 ,改进了光电效应测量普朗克常数实验 ,减少测量误差 。
3) nuclear Schottky anomaly
核的肖脱基反常
4) Schottky noise
肖脱基噪声<声>
补充资料：肖特基缺陷（Schottkydefect）
肖特基缺陷（Schottkydefect）
是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T＞0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM（或VX）表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体，在产生VM的同时，也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VM VX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。
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