2) complementarity problem
互补问题
1.
An interior-point arithmetic on complementarity problem without Lipschitz norm condition;
互补问题中无SLC限制的内点算法
2.
Smoothing iterative algorithms for complementarity problems;
互补问题的一种光滑迭代算法
3.
The research about the derivative-free method of complementarity problem;
互补问题的自由导数方法研究
3) complementarity problems
互补问题
1.
Maximum entropy principle and an iterative algorithm for solving complementarity problems;
极大熵原理与互补问题的一种迭代算法
2.
New smooth multiplier merit function for complementarity problems;
互补问题的一个新的光滑乘子价值函数
3.
In this paper,an interval method is proposed to test the existence of solution to complementarity problems.
对互补问题解的存在性提出了一种区间检验。
4) complementary problem
互补问题
1.
Moreover, the equivalent relationship among the variational inequality (VI) problem, the complementary problem and a convex programming is discussed.
在路段出行成本是流量的单调函数的较弱条件下,对具有固定需求和弹性需求的模式,首次证明了随机均衡配流模型可表示为一个变分不等式问题,同时也说明了该变分不等式问题与相应的互补问题以及一个凸规划问题之间的等价关系。
2.
This paper sets up a class of iterative methods for linear complementary problem.
建立了一类求解线性互补问题的迭代算法。
3.
The complementary problem is an important optimization problem.
互补问题是一类重要的优化问题,它广泛应用于经济分析、交通平衡策略等社会、经济模型中。
5) Uncertain linear complementarity problems
不确定线性互补问题
1.
Uncertain linear complementarity problems are brand-new field in mathematical programming,which have close correlations with complementarity theory,robust optimiz.
本文研究不确定线性互补问题,我们采用鲁棒优化技术探讨当输入数据元素为不精确或不确定,属于某一不确定集的线性互补问题的求解以及鲁棒解的存在性等性质。
6) implicit complementarity problem
隐互补问题
补充资料：互补金属-氧化物-半导体集成电路
基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是：①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35％左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；⑧有"自锁效应"，影响电路正常工作。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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