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1)  reverse bias silicom(RBS) p-n junction
反偏Si(RBS)p-n结
2)  Reverse bias pn junction
反偏硅p-n结
3)  n-ZnO/p-Si heterojunction
n-ZnO/p-Si异质结
4)  n-BN/p-Si film heterojunctions
n-BN/p-Si薄膜异质结
1.
n-BN/p-Si film heterojunctions was fabricated with boron nitride films grown by magnetron sputtering and S ion implantation, and annealed at 600 ℃,on p-type Si( 100)substrate.
用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。
5)  n-Zn_(1-x)Co_xO/p-Si
n-ZnxCo1-xO/p-Si
6)  p n p n junction
p n p n 结
补充资料:偏结
偏结 偏结   病名。指小儿单侧阴囊肿大之病证。见《太平圣惠方》卷九十二。即小儿偏(疒颓)。详见该条。
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参考词条