1) hot electron transistors
热电子晶体管
1.
The principles underlying tunneling hot electron transistors operating both in the transfer amplifier mode and electron energy spectroscopy mode are described.
文章介绍了隧穿热电子晶体管在输运放大器和电子能谱仪两种工作模式下的工作原理以及用共振隧穿热电子晶体管做成的记忆器 。
2) monolithic hot-electron transistor,MHET
单片热电子晶体管
3) hot-electron transistor
热电子晶体[三极]管
4) Transistors [electronic]
晶体管(电子)
5) single electron transistor
单电子晶体管
1.
Quantum calculations of tunneling resistance in single electron transistors;
单电子晶体管隧穿电阻的量子计算
2.
A numerical analysis of the I-V property of single electron transistors;
单电子晶体管I-V特性数值分析
3.
The successful fabrication of Si based single electron transistors (SETs) on P type SIMOX substrates,by using electron beam (EB) lithography and reactive ion etching (RIE) processes is reported in this paper.
采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺 ,在 P型 SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。
6) single-electron transistor
单电子晶体管
1.
Si single-electron transistor with in-plane point-contact metal gates;
点接触平面栅型硅单电子晶体管
2.
Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。
3.
Based on the I-V characteristics of hybrid structure of double-input single-electron transistor and MOSFET and the concepts of digital integrated circuit design,a comparator,which consists of 5 double-gate SETs and 6 MOSFETs,is proposed.
基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比较器电路结构。
补充资料：热电子（hotelectron）
热电子（hotelectron）
半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条