1) p-type Si single crystal
p-Si单晶
2) crystalline silicon
单晶Si
1.
Crystalline silicon samples were implanted at room temperature with 1.
55 MeV、5×1015×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸。
3) CZ-Si crystal
CZ-Si单晶
1.
Recent research progress in void-type defects in large diameter CZ-Si crystals is reviewed in this paper.
概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法。
4) N doped Si crystal
含氮Si单晶
5) p-type silicon
p-Si
1.
The Electrodeposition of Nickel-Tungsten Films on p-type silicon;
p－Si上电沉积Ni－W合金薄膜
6) Fe-(Al,Ga)-(P,Si,B)amorphous alloys
Fe-(Al,Ga)-(P,Si,B)非晶合金
补充资料：直径6英寸硅单晶及单晶炉
直径6英寸硅单晶及单晶炉
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条