1) relativistic multichannel theory
相对论性多通道量子亏损理论
2) MQDT
多通道量子数亏损理论
1.
In this paper we have analyzed the MQDT model of CdI even-parity J=1 by means of MQDT,and obtained a special calculation method of the life-time of high excited state by wave function of MQDT.
在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0。
2.
In this paper we have analyzed the MQDT model of PbⅠ odd-parity J=2 by means of MQDT, obtaining a special calculation method of the life-time of high excited state by wave function of MQDT.
在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,对铅原子J =2奇宇称的MQDT模型进行了分析 ,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法 ,计算并预言了 6 pnd 123202和 6 pnd 125202这两个Rydberg系列的寿
3.
The lifetimes of two Rydberg series of neutral lead are calculated and predicted by means of MQDT,and the predicted 6p6d 3232 0 1 is 59675\^61 cm -1
在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,利用已给出的用MQDT波函数统一计算高激发态寿命的方法 ,计算并预言了J =1奇宇称两个Rydberg系列的寿命 ,在利用MQDT计算时 ,确定了 6p6d 323201的能级位置 。
3) multichannel quantum defect theory
多通道量子亏损理论
1.
The experimental data are compared with the results of an R matrix calculation combined with multichannel quantum defect theory (MQDT).
并利用最新的 R矩阵的计算结果 ,结合多通道量子亏损理论进行了理论分析。
2.
The energy level,width and transition line-shape of the 6p1/2ns and 6p3/2ns autoionizing states have been measured,whose spectroscopic properties have been analyzed using multichannel quantum defect theory.
不但测量了6p1/2ns和6p3/2ns自电离态(n≤10)的能级位置、宽度和共振线形,而且也运用多通道量子亏损理论对这些自电离态的光谱特性进行了分析,从而满意地解释了实验结果。
5) eigenchannel quantum defect theory
本征通道量子亏损理论
1.
This paper caculated the highly excited states with J=2 and odd parity of the beryllium isoelectronic sequence by using the eigenchannel quantum defect theory (EQDT).
应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），研究ＢｅⅠ等电子序列（奇宇称，Ｊ＝２）的高激发态结构，得到了表征高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（Ｕｉα，μα），以这些参量作为输入，获得了２ｓｎｐ、２ｐｎｓ、２ｓｎｆ、２ｐｎｄ组态的Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。
2.
We calculated the highly-excited states with J = 0, 1 and 2 and even parity of the beryllium isoelectronic sequence by using the eigenchannel quantum defect theory (EQDT).
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构。
补充资料：政策性亏损
在中国，国营企业由于执行国家政策而生产经营某些售价低于成本的商品，或经营某些支出超过收入的服务项目而发生的亏损。例如，国营粮食企业由于国家规定的粮食销价低于收购价，或略高于收购价但不足以抵补合理费用开支而发生的亏损；商业部门向边远地区和少数民族地区按保护价格购销某些工农业产品而发生的亏损，等等。政策性亏损列入企业的财务计划，报经上级和财政部门批准，由国家财政拨款弥补。为了促使和鼓励亏损企业改善经营管理，降低成本费用，国家对政策性亏损实行定额补贴或计划补贴等办法，补贴数额在规定年限内，超亏不补，减亏分成。国家补贴企业发生的政策性亏损，主要是为了扶持生产发展，保障供给和稳定物价。
政策性亏损同由于经营管理不善所造成的经营性亏损不同。经营性亏损一般不由财政部门补贴，而用企业的后备基金或用主管部门从所属企业集中的一部分税后留利予以弥补。
政策性亏损同由于经营管理不善所造成的经营性亏损不同。经营性亏损一般不由财政部门补贴，而用企业的后备基金或用主管部门从所属企业集中的一部分税后留利予以弥补。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条