1) memory condition
记忆状态
1.
This research is designed to explore the characteristics of brain wave in the memory conditions among 24 students from age of 7 to 18.
对24名7-18岁的儿童青少年进行脑电图记录，比较其在静息状态和记忆状态下脑电α波特点。
2) state memory
状态记忆
1.
The basic principle and the main parts of rapid location and state memory(RL&SM)fixture is introduced in this paper.
概述了快速寻住与状态记忆(RL&SM)通用夹具的基本原理及其主要组成,在对不同合金及其配比的填料所进行的切削性能和硬度及其毛坯漂移等相关工程实验的基础上,提出了支持RI&SM通用夹具工程应用的状态成型系统。
2.
This paper explained the basic principle of rapid location and state memory (RL&SM) fixture.
阐述了一种快速寻位和状态记忆 (RL&SM—Rapidlocationandstatememory)通用夹具的基本原理 ,运用有限元分析工具 ,剖析了状态记忆夹具填料的工艺机理 ,针对填料结合力、状态记忆精度和填料凝固工艺等工业化瓶颈问题 ,进行了有限元建模分析 ,通过基础试验、工程应用的研究与实践 ,建立了支持状态记忆夹具应用的填料工艺知识及其工程数据库 ,为RL&SM技术的工程应用奠定了基础。
3) memory-less state feedback
无记忆状态反馈
1.
Firstly,memory-less state feedback controller was designed for time-delay system without parametric uncertainties and a linear matrix inequalities(LMI)-formed sufficient condition for exponential stability of the closed-loop system is given.
首先,对不含参数的不确定性时滞系统设计无记忆状态反馈控制器,给出了在该控制器作用下,闭环系统指数稳定的线性矩阵不等式形式的充分条件;然后,将其推广到含有范数有界参数不确定性的时滞及多时滞线性不确定系统,得到了保证系统鲁棒指数稳定的充分条件,并提供了指数衰减度及衰减因子的估计方法。
2.
This paper deals with the design of memory-less state feedback strictly dissipative controllers for linear discrete delay singular systems with or without uncertainty.
研究确定的及不确定的滞后离散广义系统的无记忆状态反馈严格耗散控制器设计问题。
4) memoryless state feedback
无记忆状态反馈
1.
By combining the matrix decomposition idea with the Lyapunov-Krasovskii functional method,adding an appropriate zero term to the deviation of V,and introducing a free weight matrix,a delay-dependent sufficient condition based on linear matrix inequality was derived to ensure the system\'s robust stabilization via memoryless state feedback,and a specified controller design method was proposed.
运用矩阵分解思想和Lyapunov-Karsovskii泛函方法,在处理V的导数时添加一个恰当的0项,引入自由权矩阵,基于LMI方法获得了系统经无记忆状态反馈后可鲁棒镇定的时滞相关充分条件,同时获得了具体的控制器设计方法。
5) state interdependence memory
状态依存性记忆
6) memory state feedback
有记忆状态反馈
1.
Fault-tolerant H_∞ control for discrete descriptor linear systems with time delay via memory state feedback;
离散广义线性时滞系统的有记忆状态反馈H_∞容错控制
2.
Robust H_∞ control for uncertain descriptor linear systems with time delay via memory state feedback
不确定时滞广义线性系统的有记忆状态反馈鲁棒H_∞控制
补充资料：应力状态和应变状态
构件在受力时将同时产生应力与应变。构件内的应力不仅与点的位置有关，而且与截面的方位有关，应力状态理论是研究指定点处的方位不同截面上的应力之间的关系。应变状态理论则研究指定点处的不同方向的应变之间的关系。应力状态理论是强度计算的基础，而应变状态理论是实验分析的基础。
应力状态 如果已经确定了一点的三个相互垂直面上的应力，则该点处的应力状态即完全确定。因此在表达一点处的应力状态时，为方便起见，常将"点"视为边长为无穷小的正六面体，即所谓单元体，并且认为其各面上的应力均匀分布，平行面上的应力相等。单元体在最复杂的应力状态下的一般表达式如图1，诸面上共有9个应力分量。可以证明,无论一点处的应力状态如何复杂，最终都可用剪应力为零的三对相互垂直面上的正应力，即主应力表示。当三个正应力均不为零时，称该点处于三向应力状态。若只有两对面上的主应力不等于零，则称为二向应力状态或平面应力状态。若只有一对面上的主应力不为零，则称为单向应力状态。
应力圆 是分析应力状态的图解法。在已知一点处相互垂直的待定截面上应力的情况下，通过应力圆可求得该点处其他截面上的应力。应力圆也称莫尔圆。图2b即为图2a所示平面应力状态下表示垂直于xx平面的面上之应力与x、x截面上已知应力间关系的应力圆。利用它可求得：①任意 α面上的应力；②"最大"和"最小"正应力；③"最大"和"最小"剪应力。由应力圆上代表"最大"和"最小"正应力的A、B点可知，这些正应力所在截面上的剪应力为零，因而"最大"和"最小"正应力也就是该点处的主应力。
应变圆 也称应变莫尔圆，是分析应变状态的图解法，其原理与应力圆类似，但应变圆的纵坐标为负剪应变的一半，横坐标为线应变 ε。在已知一点处的线应变εx、εy与剪应变γxy时，即可作出应变圆，从而求得该点处主应变 ε1与ε2的大小及其方向。在实验分析的测试中常用各种形状的应变花测量（见材料力学实验）一点处三个方向的应变，例如用"直角"应变花可测得一点处的线应变ε0°、ε45°、ε90°。根据一点处三个方向的线应变也可利用应变圆求得该点处的主应变ε1与ε2。
广义胡克定律 当按材料在线弹性范围内工作时，一点处的应力状态与应变状态之间的关系由广义胡克定律表达。对于各向同性材料,弹性模量E、剪切弹性模量G、泊松比v均与方向无关，且线应变只与正应力σ有关，剪应变只与剪应力τ有关。三向应力状态下，各向同性材料的广义胡克定律为
τxy＝Gγxy
τyz＝Gγyz
τzx＝Gγzx平面应力状态(σz＝0， τyz＝0， γzx＝0)下的广义胡克定律应用最为普遍
单向应力状态下的胡克定律则为σ＝Eε。
应力状态 如果已经确定了一点的三个相互垂直面上的应力，则该点处的应力状态即完全确定。因此在表达一点处的应力状态时，为方便起见，常将"点"视为边长为无穷小的正六面体，即所谓单元体，并且认为其各面上的应力均匀分布，平行面上的应力相等。单元体在最复杂的应力状态下的一般表达式如图1，诸面上共有9个应力分量。可以证明,无论一点处的应力状态如何复杂，最终都可用剪应力为零的三对相互垂直面上的正应力，即主应力表示。当三个正应力均不为零时，称该点处于三向应力状态。若只有两对面上的主应力不等于零，则称为二向应力状态或平面应力状态。若只有一对面上的主应力不为零，则称为单向应力状态。
应力圆 是分析应力状态的图解法。在已知一点处相互垂直的待定截面上应力的情况下，通过应力圆可求得该点处其他截面上的应力。应力圆也称莫尔圆。图2b即为图2a所示平面应力状态下表示垂直于xx平面的面上之应力与x、x截面上已知应力间关系的应力圆。利用它可求得：①任意 α面上的应力；②"最大"和"最小"正应力；③"最大"和"最小"剪应力。由应力圆上代表"最大"和"最小"正应力的A、B点可知，这些正应力所在截面上的剪应力为零，因而"最大"和"最小"正应力也就是该点处的主应力。
应变圆 也称应变莫尔圆，是分析应变状态的图解法，其原理与应力圆类似，但应变圆的纵坐标为负剪应变的一半，横坐标为线应变 ε。在已知一点处的线应变εx、εy与剪应变γxy时，即可作出应变圆，从而求得该点处主应变 ε1与ε2的大小及其方向。在实验分析的测试中常用各种形状的应变花测量（见材料力学实验）一点处三个方向的应变，例如用"直角"应变花可测得一点处的线应变ε0°、ε45°、ε90°。根据一点处三个方向的线应变也可利用应变圆求得该点处的主应变ε1与ε2。
广义胡克定律 当按材料在线弹性范围内工作时，一点处的应力状态与应变状态之间的关系由广义胡克定律表达。对于各向同性材料,弹性模量E、剪切弹性模量G、泊松比v均与方向无关，且线应变只与正应力σ有关，剪应变只与剪应力τ有关。三向应力状态下，各向同性材料的广义胡克定律为
τxy＝Gγxy
τyz＝Gγyz
τzx＝Gγzx平面应力状态(σz＝0， τyz＝0， γzx＝0)下的广义胡克定律应用最为普遍
单向应力状态下的胡克定律则为σ＝Eε。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条