1) doping parameter
掺杂参数
1.
And the transition temperature T d shows decrease when the doping parameter increases.
在一维强关联电子系统中 ,用一维大UHubbard Peierls哈密顿量去讨论它的Peierls相变 ,其中用RPA求电子自能修正 ,发现这样的系统能引起一个反铁磁自旋波和声子相互作用而引起的二聚化相变 ,而且相变温度随掺杂参数δ的增加而降低 。
2) exponential-doping
指数掺杂
1.
Theoretical calculation of quantum yield for exponential-doping GaAs photocathodes;
指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算
2.
Resolution characteristic of exponential-doping GaAs photocathodes
指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析
4) h parameter
杂系参数
5) stray parameters
杂散参数
1.
Considering the influence of stray parameters on output waveform,the main component parameters were analyzed in ATP simulation.
初步试验结果表明,陡化开关满足设计要求,重复性好,但波形受回路杂散参数的影响较大。
6) turbulent mixing coefficient
紊流掺混参数
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条