1) explicit non linear dispersion relation
显式非线性经验弥散关系
2) explicit non-linear dispersion relation
显式非线性弥散关系
3) nonlinear dispersion relation
非线性弥散关系
1.
A wave nonlinear dispersion relation and its application;
波浪非线性弥散关系及其应用
2.
A general explicit nonlinear dispersion relation which can overcome the defect of the common nonlinear dispersion relations is derived in this paper.
波浪的非线性弥散关系在应用于求解波浪的变形问题时很不方便,需要与含非线性效应的缓坡方程一起进行迭代运算,往往导致数值计算的计算量太大,计算过于复杂。
3.
The nonlinear dispersion relations and Hedges have greater errors for small wave steep-nesses in shallow waters.
Hedges及Kirby等的非线性弥散关系及其修正式在浅水区小波陡时存在较大误差 ,李瑞杰等针对这个问题给出了新的非线性弥散关系式。
4) empirical dispersion relation
经验弥散关系
1.
The nonlinear effect was included by employing an nonlinear empirical dispersion relation and a nonlinear theoretical one, compared with linear dispersion relation.
结果表明 :使用非线性弥散关系比使用线性弥散关系的计算结果与试验结果更加吻合 ;水波在浅水传播时使用经验非线性弥散关系和使用理论非线性弥散关系两者相差甚微 ,但采用经验弥散关系近似波浪在浅水传播时的非线性的计算量远小于理论非线性弥散关系的计算量 ,所以在实际应用时采用经验非线性弥散关系是较为简单合理的和完全可行
5) nonlinear dispersion
非线性弥散
1.
A mathematical model for the mild-slope irregular multi-directional wave transformation incorporating a nonlinear dispersion effect was developed.
开发了考虑非线性弥散作用的缓坡多向不规则波传播变形的数学模型,首先,根据线性波动的叠加原理和波浪方向谱理论,以考虑非线性弥散影响的规则波缓坡方程为基础,推导出考虑非线性弥散影响的缓坡多向不规则波传播变形的微分方程;其次,基于以上方程使用有限差分方法建立数学模型;然后,采用实验室波浪试验资料对本数学模型进行验征计算;最后,对非线性弥散对波浪传播的影响进行研究。
6) nonlinear dispersion equation
非线性弥散方程
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条