1) aluminum impurity
铝杂质
1.
Titanium silicalite TS 1 containing different amount of aluminum impurity was synthesized using tetrapropylammonium bromide (TPABr) as the template and using colloidal silica as the silica source.
以四丙基溴化铵为模板剂 ,以硅溶胶为硅源 ,采用水热合成法制备了不同铝杂质含量的钛硅分子筛 ,并系统考察了铝杂质对钛硅分子筛性能的影响 。
2) alumina-silica inclusion
铝硅质夹杂
1.
Appropriate melting temperature will be helpful to avoidance of alumina-silica inclusion .
用钠长石替代钽铌尾矿对解决铝硅质夹杂起到很好作用。
4) Ga-Al double-impurity doping technique
镓铝双质掺杂技术
5) aluminum inclusion
铝夹杂物
1.
Original position statistic distribution analysis of aluminum inclusion in middle-low alloy steel;
中低合金钢中铝夹杂物的原位统计分布分析
2.
The criterion of original position statistic distribution analysis for the aluminum inclusion in steel;
钢中铝夹杂物原位统计分布分析的判据方法
6) Al-doped
铝掺杂
1.
Al-doped ZnO films(AZO)with good photoluminescence property were successfully deposited on quartz glass substrates by pulsed laser deposition(PLD)at room temperature.
在室温下利用脉冲激光沉积法,以石英玻璃为基体成功制备了具有优良光改发光特性的铝掺杂氧化锌晶体薄膜(AZO),激光烧蚀所用的靶材采用自制的合金靶(Zn:Al3%,质量分数,下同),沉积过程中保持固定的氧压(10Pa)和不同的激光能量密度,薄膜结构以XRD表征,铝掺杂氧化锌薄膜的室温PL谱表明,紫外发光中心在359～361 nm。
2.
Preparation of Nano-sized Mesoporous Silica Dioxide and Al-doped Silica Dioxide at Extremely Low Reactant Concentration
在极稀溶液中,通过改变反应溶剂去离子水的量或原料中铝源的量,可控合成了不同粒径(20～70nm)、形貌和孔道结构的纳米介孔氧化硅颗粒和纳米介孔铝掺杂氧化硅材料。
补充资料：135kA中间下料预焙阳极铝电解槽(抚顺铝厂)
135kA中间下料预焙阳极铝电解槽(抚顺铝厂)
赢 135kA中间下料预焙阳极铝电解槽(抚顺铝厂)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条