1) generalized nonlinear difference-squeezing
广义非线性差压缩
1.
It is found that the kind of multi mode superposition state light field mentioned above presents generalized nonlinear difference-squeezing effect (that is N-th power X-squeezing effect) that chang.
首次研究了具有普遍意义的非对称两态叠加多模叠加态光场的N次方X压缩特性 ,结果发现 :当各模初始相位、态间初始相位差、各模光子数以及压缩幂次分别满足各自的条件时 ,多模量子态光场呈现出周期性变化的广义非线性差压缩 (即N次方X压缩 )效应 ;进一步地分析表明 :第Ⅰ、Ⅱ类多模叠加态光场的N次方X压缩是本文所讨论的特例。
2) Generated nonlinear higher order difference squeezing
广义非线性高阶差压缩
3) Generaliged Nonlinear Contractive Mapping
广义非线性压缩映象
4) sequence of the nonlinear generalized quasi contractive mapping
非线性广义拟压缩映射序列
5) generalized nonlinear equal-power higher-power sum-squeezing
广义非线性等幂次高次和压缩
1.
By using the mutli-mode squeezing state theory, the properties of the generalized nonlinear equal-power higher-power sum-squeezing of a kind of multi-mode functional superposition state light field is studied in detail.
利用多模压缩态理论,研究了该态的广义非线性等幂次高次和压缩特性。
6) generalized nonlinear
广义非线性
1.
In this paper,we introduce a new generalized nonlinear mixed quasi-variational inclusion involving(h,η)-mono- tone mappings and a-h-strongly monotone mappings,and establish the generalized-graph-convergence theory about(h,η)- monotone mappings.
引入了一类新的含(h,η)-单调算子和α-h-强单调算子的广义非线性混合拟变分包含,并建立了关于(h,η)-单调算子的广义图像收敛理论。
2.
By using the methods to determine the "blow-up factor", we discuss the mixed problems of generalized nonlinear pseudo-parabolic and pseudo-hyperbolic equations with Dirichlet boundary value and Neuman boundany value, which include the classical forms and various degenerate forms.
本文使用“爆破因子”法,统一研究了包括经典形式和多种退化形式在内的广义非线性拟抛物型和拟双曲型方程具Dirichlet边界值和Neumann边界值的混合问题,得到了关于系统爆破的一系列较一般性的结果。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条