1) F-K offset
F-K偏移
1.
F-K offset method is used to deal with the forward profiles.
从麦克斯韦方程出发,推导了以CPML作为吸收边界条件的FDTD迭代公式,并以超宽带雷克子波作为发射源,模拟得到了简单二维地电剖面,粗略反映了地下异常体的位置;采用F-K偏移方法对正演剖面进行了处理,通过对比处理前后的剖面可以看出,处理后的剖面反射波得到了归位,绕射波得到了收敛,提高了对正演剖面的分辨率。
2) F-K demigration
F-K反偏移
1.
F-K demigration in media with constant velocity is the basis of the F-K demigration in inhomogeneous media.
均匀介质中的F-K反偏移是实现一般介质下F-K反偏移的基础,而均匀介质中的F-K反偏移的实质是一个插值映射过程。
3) F K migration technique
F-K偏移技术
4) F-K 3D pre-stack time migration
F-K三维叠前时间偏移
6) K-F reagent
K-F试剂
补充资料：创建偏移剖面
要创建偏移剖面，必须通过在“草绘器”中进行草绘以定义切口轮廓。然后，垂直于草绘平面投影此轮廓。单击 
或“视图”(View)>“视图管理器”(View Manager)。“视图管理器”(View Manager) 对话框打开。单击“剖截面”(Xsec)。单击“新建”(New)。出现一个缺省的剖面名称。按 ENTER 键。“剖截面创建”(XSEC CREATE) 菜单打开。单击“偏移”(Offset)>“一侧”(One Side) 或“双侧”(Both Sides)>“完成”(Done)。“选取”(SELECT) 对话框打开。选取草绘平面，并定义查看方向和草绘方向。进入“草绘器”。选取用于尺寸标注的参照图元。草绘剖面轮廓并单击 
退出“草绘器”。 在“视图管理器”(View Manager) 中，单击“显示”(Display)>“设置可见性”(Set Visible)。“可见性”(Visibility) 对话框打开。单击“显示剖面线”(Show X-Hatching) 查看剖面。单击 预览或单击 接受选取的选项。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条