1) D-M interaction
D-M相互作用
1.
The ground sate of the Spin-Peierls system is still a dimerized phase when D-M interaction is present.
利用Lanczos数值计算方法研究了Spin-Peierls系统中D-M相互作用对于二聚化的影响。
2) π-d interaction
π-d相互作用
1.
We assert that the difference of the transportation phenomenon derives from the π-d interaction.
我们认为这种输送现象的差异性起源于π-d相互作用。
2.
We assert that the difference relates to the π-d interaction.
认为这种差异性和π-d相互作用密切相关。
3.
The objective of this combination is to establish a coupling between conduction electrons (πelectrons) coming from organic donors and localized electrons (d electrons) coming from paramagnetic centers, through the so-calledπ-d interaction.
实现这一目标的方法就是在有机供体π电子和定域的顺磁离子d电子间建立耦合π-d相互作用,而实现π-d相互作用通常可以采用两种方法:(a)通过空间的相互作用来实现π-d相互作用,但此类相互作用会比较弱;(b)使两个体系通过化学键相连,从而有效地实现π-d相互作用。
3) d-d electron interactions
d-d电子相互作用
1.
The addition of Cr and Nb atoms to TiAl alloy leads to the increase of electron densities in the bulk and grain boundaries simultaneously as well as the enhancement of d-d electron interactions.
讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。
4) mth-order interaction approximation
m级相互作用近似
5) sp-d exchange interaction
sp-d交换相互作用
6) s d exchange interaction
s d 交换相互作用
补充资料：γ射线同物质的相互作用
γ射线在物质中具有较强的穿透本领。能量在10MeV以下的γ射线同物质相互作用时，主要是发生光电效应、康普顿效应、电子偶效应等三种效应。
光电效应 γ光子穿过物质时同原子中的束缚电子相互作用，光子把全部能量交给这一束缚电子，使之克服在原子壳层中的结合能（电离能）而发射出去，这就是光电效应。光电效应截面以一种复杂的方式随入射光子能量和吸收体原子序数而改变，但总的趋势是随光子能量增加而减小，随原子序数增加而增加。在光子能量小于1MeV时，光电效应在三种主要效应中占优势，光电截面在总截面中占主要部分。
康普顿效应 当入射光子能量逐渐增大到1MeV时,γ射线同物质相互作用逐渐由光电效应过渡到康普顿效应。
康普顿效应是γ光子同电子之间的散射。入射γ光子把一部分能量传递给电子，光子本身能量减少并向不同的方向散射，散射效应中获得能量的电子叫反冲电子（图1）。能够发生散射效应的电子既可以是自由电子，也可以是束缚于原子之中的电子。康普顿效应发生在γ光子和电子之间，其作用截面是对单个电子而言的。因此，对原子序数为Z的整个原子,散射截面就是单个电子作用截面的 Z倍。当入射光子能量较高时，截面与光子能量近似成反比。
电子偶效应 是γ光子同物质的第三个重要的相互作用，入射光子同原子核电场或电子电场相互作用都可以产生电子偶效应,发生这个效应的阈能是1.02MeV。在电子偶效应中，入射光子转化为一个正电子和一个负电子,它们的动能是入射光子能量同1.02MeV之差。电子偶效应的截面也是入射光子能量和吸收物质原子序数的函数。当入射光子能量稍大于 1.02MeV时，电子偶效应的截面随光子能量E 线性增加；在高能时，其截面正比于lnE；能量很高时,截面趋近于一个常数。然而不论在高能或低能，截面都正比于吸收体原子序数Z的二次方。
其他效应 除上述主要的三种效应外，γ射线同物质的相互作用还有其他的效应， 如相干散射。 在低能(100keV)时，相干散射是很重要的，尤其是重元素中束缚得比较紧的电子有利于这种散射。这种散射长期以来一直是X 射线晶体学的基础。另外在入射光子能量较高时还有光核反应等。
γ射线的吸收 当γ射线穿过物质时，三种效应都可能发生。在忽略其他效应时，将这三种效应的吸收系数相加就可得到总的线性吸收系数。式中μph、μσ、μp分别表示这三种效应中的吸收系数。图2表示γ射线在铅中产生三种不同效应的几率。
窄束γ 射线在物质中的衰减规律是 或,其中Io、I分别代表穿透前后的γ射线强度,μ是吸收系数，μm是质量吸收系数，ⅹ是γ射线穿过的厚度，ⅹm是质量厚度。
由于γ射线穿过物质时会发生各种效应，同时γ射线又很容易被探测到，使得γ射线在诸如工业探伤、测厚、冶金、自动化、医疗等方面都获得广泛的应用。
参考书目
K. Siegbahn, ed., Alpha-, Beta- and Gamma-Ray Spectroscopy,Vol. 1,North-Holland,Amsterdam,1965.
光电效应 γ光子穿过物质时同原子中的束缚电子相互作用，光子把全部能量交给这一束缚电子，使之克服在原子壳层中的结合能（电离能）而发射出去，这就是光电效应。光电效应截面以一种复杂的方式随入射光子能量和吸收体原子序数而改变，但总的趋势是随光子能量增加而减小，随原子序数增加而增加。在光子能量小于1MeV时，光电效应在三种主要效应中占优势，光电截面在总截面中占主要部分。
康普顿效应 当入射光子能量逐渐增大到1MeV时,γ射线同物质相互作用逐渐由光电效应过渡到康普顿效应。
康普顿效应是γ光子同电子之间的散射。入射γ光子把一部分能量传递给电子，光子本身能量减少并向不同的方向散射，散射效应中获得能量的电子叫反冲电子（图1）。能够发生散射效应的电子既可以是自由电子，也可以是束缚于原子之中的电子。康普顿效应发生在γ光子和电子之间，其作用截面是对单个电子而言的。因此，对原子序数为Z的整个原子,散射截面就是单个电子作用截面的 Z倍。当入射光子能量较高时，截面与光子能量近似成反比。
电子偶效应 是γ光子同物质的第三个重要的相互作用，入射光子同原子核电场或电子电场相互作用都可以产生电子偶效应,发生这个效应的阈能是1.02MeV。在电子偶效应中，入射光子转化为一个正电子和一个负电子,它们的动能是入射光子能量同1.02MeV之差。电子偶效应的截面也是入射光子能量和吸收物质原子序数的函数。当入射光子能量稍大于 1.02MeV时，电子偶效应的截面随光子能量E 线性增加；在高能时，其截面正比于lnE；能量很高时,截面趋近于一个常数。然而不论在高能或低能，截面都正比于吸收体原子序数Z的二次方。
其他效应 除上述主要的三种效应外，γ射线同物质的相互作用还有其他的效应， 如相干散射。 在低能(100keV)时，相干散射是很重要的，尤其是重元素中束缚得比较紧的电子有利于这种散射。这种散射长期以来一直是X 射线晶体学的基础。另外在入射光子能量较高时还有光核反应等。
γ射线的吸收 当γ射线穿过物质时，三种效应都可能发生。在忽略其他效应时，将这三种效应的吸收系数相加就可得到总的线性吸收系数。式中μph、μσ、μp分别表示这三种效应中的吸收系数。图2表示γ射线在铅中产生三种不同效应的几率。
窄束γ 射线在物质中的衰减规律是 或,其中Io、I分别代表穿透前后的γ射线强度,μ是吸收系数，μm是质量吸收系数，ⅹ是γ射线穿过的厚度，ⅹm是质量厚度。
由于γ射线穿过物质时会发生各种效应，同时γ射线又很容易被探测到，使得γ射线在诸如工业探伤、测厚、冶金、自动化、医疗等方面都获得广泛的应用。
参考书目
K. Siegbahn, ed., Alpha-, Beta- and Gamma-Ray Spectroscopy,Vol. 1,North-Holland,Amsterdam,1965.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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