1) rough interface scattering
粗糙势垒散射
1.
It is found that dc Josephson currents in FS/I/FS are suppres sed by the ferromagnetic exchange interaction for weak barrier strength and weak rough interface scattering st.
研究表明 :当结界面势垒散射强度和粗糙势垒散射强度比较弱时磁交换能总是抑制FS I FS结的直流Josephson临界电流 ,而当结左右两边FS中铁磁态的磁化强度方向反向平行时 ,结界面势垒散射强度或粗糙势垒散射强度比较强且温度比较低时 ,FS I FS结的直流Josephson电流却是随FS中的磁交换能的增强而升
2.
Taking into account the rough interface scattering effects, within Bogoliubov de Gennes equations and Furusaki Tsukada formula we calculate the dc Josephson current in the ferromagnet superconductor tunnel junctions.
研究表明 :铁磁超导态中磁交换能和结界面的粗糙势垒散射均对FS/I/S结的直流Josephson电流有抑制作
2) rough interface scattering
粗糙散射
1.
Taking into account rough interface scattering effects, within Bogoliubov-de Gennes equations and Furusaki-Tsukada formula for the Josephson current, we calculate the dc Josephson current in the unsymmetrical s-wave superconductor/insulator/s-wave superconductor junctions.
在不对称s波超导体/绝缘层/s波超导体Josephson结(s/I/s)中,考虑结界面粗糙散射情况下,运用Bogoliubov deGennes(BdG)方程和Furusaki Tsukada(FT)的电流公式计算准粒子的输运系数及s/I/s结的直流Josephson电流。
2.
Taking into account the magnetic scattering and rough interface scattering effects, within Bogoliubov de Gennes equations and Furusaki Tsukada formula for the Josephson current, we calculate the dc Josephson current in s wave superconductor / ferromagnetic insulator / s wave superconductor junctions.
在s波超导体 /铁磁绝缘层 /s波超导体Josephson结 (S/FI/S)中 ,考虑结界面铁磁绝缘层的磁散射和粗糙散射情况下 ,运用Bogoliubov deGennes(BdG)方程和Furusaki Tsukada(FT)的电流公式计算准粒子的输运系数及S/FI/S结的直流Josephson电流与温度T ,结两侧的相位差之间的关系 。
5) interface roughness scattering
表面粗糙散射
1.
A new interface roughness scattering model is developed using exponential autocovariance functions.
提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型 ,并对 6H SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟 ,模拟中考虑了沟道区的量子化效应 。
6) rough interface scattering
粗糙界面散射
1.
Taking into account the impurities scattering in the insulating layer and rough interface scattering in the normal metal/insulating layer/s-wave superconductor tunnel junctions,using Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)theory and Bogoliubove-de Gannes(BdG) eguations,We calculate the differential conductance.
在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导。
2.
Taking into account the magnetic scattering and rough interface scattering effects of the ferromagnet layer in the normal metal-ferromagnet insulator-d__ x2-y2+id_ xy mixed wave superconductor tunnel junctions,using Bogoliubov-de Gennes(BdG) eguation and Blonder-Tinkham-klapwjrk(BTK)theory, We calculate the quasiparticle transport coefficients and the differential conductance.
研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰。
3.
Taking into account the effects of the rough interface scattering and finite quasiparticle lifetime, within the scattering formalism, we calculate the shot noise in normal metal_ d _wave superconductor junctions.
考虑到粗糙界面散射和准粒子的有限寿命效应 ,利用散射理论 ,计算正常金属 -d波超导结中的散粒噪声 。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
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参考词条