是指超导体（S）和正常金属（N）间夹有绝缘介质层（I）组成的隧道结。在结两侧加上电压V时的隧道电流I与V的I-V特性曲线示意图如下。

当0＜eV＜Δ(T)时几乎不无隧道电流，这里Δ(T)为超导能隙。当|V|≥V0=|Δ(T)/e|时，超导电子对被拆散激发为二个准粒子而隧穿绝缘层势垒形成隧道电流。拆散电子对所需最小能量为2Δ(T)，一个电子平均需能隙为Δ(T)的能量。由于激发为准粒子带有集体效应，故在|V|≥V0时电流很快上升，而接近N-I-N的隧道电流。这种不同于单个正常电子隧道N-I-N的单粒子隧道称双粒子隧道，类似现象也发生在S-I-S和S1-I-S2隧道结。这些隧道结若在S一侧同时有多个超导电子对被拆散激发而同时隧穿到另一侧（需遵从泡利原理），这种隧道过程称多粒子隧道，但这种概率是很小的。利用这些隧道结可测定超导体的能隙。