1) magnetic p-n junction
磁性p-n结
2) p n p n junction
p n p n 结
3) n-p-n junction
n-p-n结
4) p-n-p structure
p-n-p结构
5) p-n junction
p-n结
1.
Photoluminescence mechanisms,p-type doping,p-n junction and diluted magnetic property of ZnO-based semiconductor thin film are discussed in detail.
详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。
2.
ZnO thin films have many excellent properties such as photoelectricity, p-n junctionetc.
ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分。
3.
In this arti- cle the basic structures of photoconductive,schottky barrier,p-n junction and other types of ZnO ultraviolet photodetec- tors are introduced briefly.
简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料
磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条