说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 后钙钛矿相
1)  post-perovskite
后钙钛矿相
2)  perovskite [pə'rɔvz,kait]
钙钛矿相
1.
The pure perovskite phase of PLZST can be obtained at low temperature of 750℃ for 2 h by chemical method.
研究结果表明,化学共沉淀法合成PLZST具有一定的适用范围,在低温750℃下保温2h便能得到单一的钙钛矿相,掺入过量的Pb有利于PLZST晶体的生成,适当的退火处理能促进晶体长大。
2.
It was found that B2O3 and PbF2 fluxes were harmful to the crystallization of perovskite phase PZNT.
发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。
3.
The results show that pyrochlore appears in the films when crystallization temperature is 400~600℃ and films with a large quantity of perovskite can be obtained using rapid heating process.
用不同升温速率控制PZT薄膜晶化过程,实验结果表明,当晶化温度在400~600℃时,薄膜显焦绿石相,当采用较高升温速率50℃/min时,在硅片上可缩小焦绿石相生成,提高钙钛矿相形成,从而获得取向性高的钙钛矿相PZT薄
3)  perovskite phase
钙钛矿相
1.
In order to promote the enrichment of titanium component in perovskite phase, based on the technology of selective precipitation, the slag is supposed to be oxidized.
为使含钛高炉渣中的钛组分富集于钙钛矿相中,基于选择性析出技术,需要对炉渣进行氧化处理。
2.
All the orthorhombic perovskite phases formed initially at heat treatment temperature of about 600 and thoroughly above 85.
研究表明,薄膜在600℃以上开始析晶,850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相。
3.
20PbTiO3 (PMNT) with pure perovskite phase.
研究了制备纯钙钛矿相0。
4)  perovskite structure
钙钛矿相
1.
The substitution of aqueous solution of Mg (Ac) 2 for MgO makes it possible to improve the reactivity and distribution; therefore increase the stabilization of perovskite structure.
以醋酸镁代替传统氧化物混合法中的MgO,提高了MgO的分散性和反应活性,能够有效地促进钙钛矿相0。
5)  MgSiO3 post-perovskite
MgSiO3后钙钛矿
1.
MgSiO3 post-perovskite which is remarkably elastic anisotropic can explain the core-mantle boundary discontinuity(D″ discontinuity),but the mechanism for lattice preferred orientation still defies satisfactory explanation.
MgSiO3后钙钛矿具有明显的弹性各向异性,可以解释地球核幔边界D″层中地震波的不连续性等现象,但目前的研究对晶格优选方位的机理一直没有好的解释。
6)  Ba-Zr perovskite phase
钡锆钙钛矿相
补充资料:钙钛矿型铁氧体
分子式:
CAS号:

性质:又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同,属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低,约为(4.9~11.4)×10-4T,其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大,迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化,在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2~3个数量级。主要用作磁泡材料。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条